GD150PFX170C6SG,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=95o C

232

150

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

828

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1800

V

IO

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

150

A

IFSM

Överspännings framström t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-värde, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximala kopplings temperatur (inverterare) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=150A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=6.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

4.3

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=150A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, LS =46nH ,T j =25o C

292

n

t r

Uppgångstid

55

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

458

n

t f

Hösttid

392

n

Epå

Tänd Växling Förlust

33.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

26.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=150A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, LS =46nH ,T j =125o C

342

n

t r

Uppgångstid

67

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

520

n

t f

Hösttid

568

n

Epå

Tänd Växling Förlust

50.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

35.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=150A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, LS =46nH ,T j =150o C

352

n

t r

Uppgångstid

68

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

535

n

t f

Hösttid

589

n

Epå

Tänd Växling Förlust

53.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

36.3

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF =150A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μs,V Generella =-15V LS =46nH ,T j =25o C

21.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

183

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μs,V Generella =-15V LS =46nH ,T j =125o C

36.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

196

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

33.9

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μs,V Generella =-15V LS =46nH ,T j =150o C

41.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

199

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

36.3

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IC=150A, T j =150o C

0.90

V

IR

Omvänd ström

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R tJC

Tvättpunkt – till – Fall (perIGBT – inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)

0.181 0.300 0.289

K/W

R thCH

Fall – till – Värmesänkande (perIGBT – inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g