GD150PFX170C6SG, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1700V 150A.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 95 o C	232 150	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	300	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C	828	W

Diod-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1700	V
Jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent	150	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	300	A

Diode-rektifierare

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1800	V
Jag O	Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg	150	A
Jag FSM	Överspännings framström t p =10ms @ T j = 25o C @ T j = 150 o C	1600 1400	A
Jag 2t	Jag 2t-värde, t p =10ms @ T j =25 o C @ T j = 150 o C	13000 9800	A 2s

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T jmax	Maximala kopplings temperatur (inverterare) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)	175 150	o C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -inverter Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =150A,V Generella =15V, T j =25 o C		1.85	2.20	V
		Jag C =150A,V Generella =15V, T j =125 o C		2.25
		Jag C =150A,V Generella =15V, T j = 150 o C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =6.00 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd förhandsbeskrivning			4.3		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		18.1		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.44		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		1.41		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =150A, R G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T j =25 o C		292		n
t r	Uppgångstid			55		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			458		n
t f	Hösttid			392		n
E på	Tänd Växling Förlust			33.6		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			26.3		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =150A, R G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T j =125 o C		342		n
t r	Uppgångstid			67		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			520		n
t f	Hösttid			568		n
E på	Tänd Växling Förlust			50.5		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			35.7		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =150A, R G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T j = 150 o C		352		n
t r	Uppgångstid			68		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			535		n
t f	Hösttid			589		n
E på	Tänd Växling Förlust			53.3		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			36.3		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		600		A

Diod -inverter Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =150A,V Generella =0V,T j =25 o C		1.80	2.25	V
		Jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 25o C		1.90
		Jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =150A, -di/dt=2340A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T j =25 o C		21.3		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			183		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			20.4		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =150A, -di/dt=2000A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T j =125 o C		36.2		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			196		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			33.9		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =150A, -di/dt=1830A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T j = 150 o C		41.2		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			199		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			36.3		mJ

Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag C =150A, T j = 150 o C		0.90		V
Jag R	Omvänd ström	T j = 150 o C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT -inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)			0.181 0.300 0.289	K/W
R thCH	Housse -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.092 0.152 0.146 0.009		K/W
M	Monteringsmoment Skruv: M5	3.0		6.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		g