GD400CUX120C2S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

636

400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

2083

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.00

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.05

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=14.4mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

37.3

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.04

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.80

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2.0Ω, L S =50nH ,V Generella =±15V, T vj =25o C

223

n

t r

Uppgångstid

49

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

334

n

t f

Hösttid

190

n

Epå

Tänd Växling Förlust

17.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

28.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2.0Ω, L S =50nH ,V Generella =±15V, T vj =125o C

230

n

t r

Uppgångstid

54

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

385

n

t f

Hösttid

300

n

Epå

Tänd Växling Förlust

29.4

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

41.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2.0Ω, L S =50nH ,V Generella =±15V, T vj =150o C

228

n

t r

Uppgångstid

57

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

393

n

t f

Hösttid

315

n

Epå

Tänd Växling Förlust

32.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

42.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 400 A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400 A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 400 A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V Generella = 15 V, T vj =25o C

33.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

374

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.6

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V Generella = 15 V, T vj =125o C

67.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

446

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

28.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6880A/μs, L S =50nH, V Generella = 15 V, T vj =150o C

75.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

452

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

31.4

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.072 0.113

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.023 0.036 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g