Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD400CLU120C2S, IGBT-modul, Chopper i ett paket, STARPOWER

1200V 400A; Chopper i ett paket

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLU120C2S
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1200V 400A.

Egenskaper

  • NPT-IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • Låga bytesförluster
  • Robust med ultra snabba prestanda
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typisk Användningsområden

  • Strömförsörjning med växlande läge
  • Induktionshäftning
  • Elektroniska svetsare

Absolut Maximal Betyg T C=25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=60o C

505

400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =150o C

2358

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

2500

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 400 A,V Generella =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC= 400 A,V Generella =15V, T j =125o C

3.60

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=4.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

26.2

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.68

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

4.18

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2.4Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25o C

337

n

t r

Uppgångstid

88

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

460

n

t f

Hösttid

116

n

E

Tänd Växling

Förlust

21.2

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

19.4

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2.4Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 125o C

359

n

t r

Uppgångstid

90

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

492

n

t f

Hösttid

128

n

E

Tänd Växling

Förlust

29.4

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

26.0

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =125o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

2400

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 400 A,V Generella =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF = 400 A,V Generella =0V,T j = 125o C

2.10

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V Generella =± 15 V, T j =25o C

27.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

280

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

16.6

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

46.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

380

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

30.0

mJ

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.053

0.103

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.048

0.094

0.032

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g

Översikt

image(c3756b8d25).png

Ekvivalent krets schema

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000