GD300HFX170C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 100o C

493

300

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 o C

1829

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =300A,V Generella =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Jag C =300A,V Generella =15V, T j =125 o C

2.25

Jag C =300A,V Generella =15V, T j = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 12.0mA,V Ce =V Generella , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.5

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

36.1

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.88

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, R Gon = 3,3Ω,

R Goff =4.7Ω, V Generella =± 15 V,

T j =25 o C

213

n

t r

Uppgångstid

83

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

621

n

t f

Hösttid

350

n

E på

Tänd Växling Förlust

79.2

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

70.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, R Gon = 3,3Ω,

R Goff =4.7Ω, V Generella =± 15 V,

T j = 125o C

240

n

t r

Uppgångstid

92

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

726

n

t f

Hösttid

649

n

E på

Tänd Växling Förlust

104

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

108

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 150o C

248

n

t r

Uppgångstid

95

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

736

n

t f

Hösttid

720

n

E på

Tänd Växling Förlust

115

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

116

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Jag F =300A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.90

Jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Generella =-15V T j =25 o C

82.5

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

407

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

46.6

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Generella =-15V T j =125 o C

138

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

462

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

92.2

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Generella =-15V T j = 150 o C

154

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

460

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

109

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.082 0.129

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g