MTx600 MFx600 MT600,Tyristor/Diode Moduler,Vattenkylning

V RRM ,V DRM

Typ & Översikt

600V

MT3 förpackning

MFx600-06-406F3

800V

MT3 förpackning

MFx600-08-406F3

1000V

MT3 förpackning

MFx600-10-406F3

1200V

MT3 förpackning

MFx600-12-406F3

1400V

MT3 förpackning

MFx600-14-406F3

1600V

MTx600-16-406F3

MFx600-16-406F3

1800V

MT3 förpackning

MFx600-18-406F3

1800V

MT6205F3G

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃)

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180°halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylt, THS=55 。C

125

600

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

942

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

45

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM,t=10ms halvsinus

125

16.0

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

1280

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.85

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.30

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=1800A

25

1.90

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

10

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.085

℃/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.040

℃/W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

14

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

1580

g

Översikt

406F3