MK(H)x250 MK250,Snabbavstängnings thyristormoduler,Luftkylning

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600V

MKx250-06-415F3

MHx250-06-415F3

800V

MKx250-08-415F3

MHx250-08-415F3

1000V

MKx250-10-415F3

MHx250-10-415F3

1200V

MKx250-12-415F3

MHx250-12-415F3

1400V

MKx250-14-415F3

MHx250-14-415F3

1600V

MKx250-16-415F3

MHx250-16-415F3

1800V

MKx250-18-415F3

MHx250-18-415F3

1800V

MK250-18-415F3G

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50 Hz Enkel sida kyld,Tc=85 ℃

125

250

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

392

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

80

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halvsinusböljan VR=60%VRRM

125

5.60

kA

Jag ²t

I2t för smältkoordination

157

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

1.30

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.38

m

VTM

Topp påslags spänning

ITM=750A

25

2.69

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

20

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.100

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.040

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Terminalanslutningstork (M10)

10.0

12.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

1260

g

Översikt

415F3