GD300HFU120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

320

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1063

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

600

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=300A,V Generella =15V, T j =125o C

1.60

IC=300A,V Generella =15V, T j =175o C

1.60

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=8mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

51.5

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.36

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

4.50

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V Generella =± 15 V,

T j =25o C

405

n

t r

Uppgångstid

83

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

586

n

t f

Hösttid

129

n

Epå

Tänd Växling Förlust

34.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

19.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V Generella =± 15 V,

T j =125o C

461

n

t r

Uppgångstid

107

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

676

n

t f

Hösttid

214

n

Epå

Tänd Växling Förlust

48.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

26.6

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V Generella =± 15 V,

T j =175o C

518

n

t r

Uppgångstid

124

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

738

n

t f

Hösttid

264

n

Epå

Tänd Växling Förlust

58.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

31.7

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤7μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1150

A

t P≤6μs, V Generella =15V,

T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1110

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.60

2.00

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V Generella =0V,T j =175o C

1.50

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=3135A/μs, V Generella = 15 V, Ls=32nH, T j =25o C

19.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

140

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

4.92

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2516A/μs, V Generella =-15V Ls=32nH, T j =125o C

33.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

159

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.35

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2204A/μs, V Generella =-15V Ls=32nH, T j =175o C

46.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

171

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.7

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

21

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

1.80

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.141 0.243

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

M

Monteringsskruv:M6

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g