Kort introduktion
IGBT-modul , tillverkad av STARPOWER. 1200V 200A.
Egenskaper
Vanliga användningsområden
Absolut Maximal Betyg T C=25℃ om inte i annat fall noterat
Symbol |
BESKRIVNING |
GD200SGU120C2S |
Enheter |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
IC |
Samlarström @ T C=25℃ @ T C=80℃ |
320 200 |
A |
ICm |
Pulsad samlarström t p =1ms |
400 |
A |
IF |
Diod kontinuerlig framström @ T C=80℃ |
200 |
A |
IFM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
400 |
A |
PD |
Maximal effekt Dissipation @ T j =150℃ |
1645 |
W |
T jmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
150 |
℃ |
T STG |
Lagringstemperatur Räckvidd |
-40 till +125 |
℃ |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT |
4000 |
V |
Montering Vridmoment |
Signalterminal Skruv:M4 |
1.1 till 2.0 |
|
Skruv för kraftterminalen:M6 |
2,5 till 5.0 |
N.M |
|
Monteringsskruv:M6 |
3,0 till 5.0 |
|
El Egenskaper av IGBT T C=25℃ om inte i annat fall noterat
Avslutade egenskaper
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
V (BR )CES |
Samlare-utgivare Bristningsspänning |
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
ICES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Om egenskaper
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
V Generella (th) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
IC=2.0mA ,V CE =V Generella , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
IC=200A,V Generella =15V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.55 |
V |
IC=200A,V Generella =15V, T j =125℃ |
|
3.45 |
|
Omställning av egenskaper
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, T j =25℃ |
|
577 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
120 |
|
n |
|
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
540 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
123 |
|
n |
|
Epå |
Tänd Växling Förlust |
|
16.3 |
|
mJ |
|
Eavstängd |
Avstängning Förlust |
|
12.0 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, T j =125℃ |
|
609 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
121 |
|
n |
|
t d (avstängd ) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
574 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
132 |
|
n |
|
Epå |
Tänd Växling Förlust |
|
22.0 |
|
mJ |
|
Eavstängd |
Avstängning Förlust |
|
16.2 |
|
mJ |
|
Cies |
Inmatningskapacitet |
V CE =30V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
16.9 |
|
nF |
Cövriga |
Utgångskapacitet |
|
1.51 |
|
nF |
|
Cres |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.61 |
|
nF |
|
|
ISC |
SK-uppgifter |
t P≤ 10 μs, V Generella =15 V, T j =125℃,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V |
|
1800 |
|
A |
LCE |
Strömavtryck |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC+EE |
Modulled Motstånd Terminal till chip |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
El Egenskaper av Diod T C=25℃ om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
|
V F |
Diod framåt Spänning |
IF =200A |
T j =25℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125℃ |
|
1.92 |
|
||||
Qr |
Återställd Laddning |
IF =200A, V R =600 V, R G=4.7Ω, V Generella =-15V |
T j =25℃ |
|
13.1 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
26.1 |
|
||||
IRM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
T j =25℃ |
|
123 |
|
A |
|
T j =125℃ |
|
172 |
|
||||
Erec |
Omvänd återhämtning Energi |
T j =25℃ |
|
7.0 |
|
mJ |
|
T j =125℃ |
|
12.9 |
|
||||
Termiska egenskaper ics
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Enheter |
R θ JC |
Förbindelse till fall (per IGB) T) |
|
0.076 |
K/W |
R θ JC |
Sammanslagning till fall (per D) Jod) |
|
0.128 |
K/W |
R θ CS |
Fält-till-sänk (användning av ledande fett) ljuger) |
0.035 |
|
K/W |
Vikt |
Vikt Modul |
300 |
|
g |
Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.
EN
