GD150HFU120C8SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 85 o C

238

150

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 150 o C

1237

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =150A,V Generella =15V, T vj =25 o C

2.90

3.35

V

Jag C =150A,V Generella =15V, T vj =125 o C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =3.0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.50

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =30V, f=1MHz, V Generella =0V

19.2

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.60

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.83

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=35nH, V Generella =±15V,T vj =25 o C

183

n

t r

Uppgångstid

73.8

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

438

n

t f

Hösttid

33.0

n

E på

Tänd Växling Förlust

12.8

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

5.31

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=35nH, V Generella =±15V,T vj =125 o C

185

n

t r

Uppgångstid

74

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

476

n

t f

Hösttid

44.5

n

E på

Tänd Växling Förlust

15.5

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

7.74

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =150A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Jag F =150A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V Generella = 15 V, T vj =25 o C

11.9

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

113

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

4.02

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V Generella = 15 V, T vj =125 o C

22.5

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

139

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

8.58

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.101 0.257

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g