GD150HFU120C8SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=85o C

238

150

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =150o C

1237

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=150A,V Generella =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V Generella =15V, T vj =125o C

3.60

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=3.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.50

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =30V, f=1MHz, V Generella =0V

19.2

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.60

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.83

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=35nH, V Generella =±15V,T vj =25o C

183

n

t r

Uppgångstid

73.8

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

438

n

t f

Hösttid

33.0

n

Epå

Tänd Växling Förlust

12.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

5.31

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=35nH, V Generella =±15V,T vj =125o C

185

n

t r

Uppgångstid

74

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

476

n

t f

Hösttid

44.5

n

Epå

Tänd Växling Förlust

15.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

7.74

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =150A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V Generella = 15 V, T vj =25o C

11.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

113

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

4.02

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V Generella = 15 V, T vj =125o C

22.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

139

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.58

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.101 0.257

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g