GD400HFQ120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=100o C

769

400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

2272

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 400 A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=16.00mA ,V CE =V Generella ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

43.2

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.18

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

3.36

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2Ω, LS =45nH ,

V Generella =± 15 V, T vj =25o C

288

n

t r

Uppgångstid

72

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

314

n

t f

Hösttid

55

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

43.6

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

12.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2Ω, LS =45nH ,

V Generella =± 15 V, T vj =125o C

291

n

t r

Uppgångstid

76

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

351

n

t f

Hösttid

88

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

57.6

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

17.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 400A, R G=2Ω, LS =45nH ,

V Generella =± 15 V, T vj =150o C

293

n

t r

Uppgångstid

78

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

365

n

t f

Hösttid

92

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

62.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

18.6

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 400 A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400 A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 400 A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återställd

Laddning

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V Generella =- 15 V, LS =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

252

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.2

mJ

Qr

Återställd

Laddning

V R =600V,I F = 400A,

-di /dt = 3860A/μs, V Generella =- 15 V, LS =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

255

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

18.7

mJ

Qr

Återställd

Laddning

V R =600V,I F = 400A,

-di /dt = 3720A/μs, V Generella =- 15 V, LS =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

257

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.066

0.115

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g