GD1200SGT120A3S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

GD1200SGT120A3S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25℃

@ T C=80℃

2100

1200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1ms

2400

A

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

1200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

2400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175℃

7.61

kW

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

2500

V

Montering Vridmoment

Sjukdomsfall:

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Monteringsskruv:M6

4,25 till 5,75

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

T j =25℃

1200

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25℃

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=48mA ,V CE =V Generella , T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 1200A,V Generella =15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

IC= 1200A,V Generella =15V, T j =125℃

2.00

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=1200A,

R Gon =1,8Ω, R Goff = 0,62Ω, V Generella =±15V,T j =25℃

550

n

t r

Uppgångstid

230

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

830

n

t f

Hösttid

160

n

Epå

Tänd Växling Förlust

/

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

/

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 1200A,

R Gon = 1.8Ω,R Goff = 0,62Ω, V Generella =±15V,T j =125℃

650

n

t r

Uppgångstid

240

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

970

n

t f

Hösttid

190

n

Epå

Tänd Växling Förlust

246

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

189

mJ

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

85.5

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

4.48

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

3.87

nF

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15 V,

T j =125℃,

V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

4800

A

R Gint

Inre port

Motstånd

1.9

ω

LCE

Strömavtryck

15

nH

R CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.10

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 1200A

T j =25℃

1.65

2.05

V

T j =125℃

1.65

Qr

Återställd

Laddning

IF = 1200A,

V R =600 V,

R Gon = 0,6Ω,

V Generella =-15V

T j =25℃

112

μC

T j =125℃

224

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

T j =25℃

850

A

T j =125℃

1070

Erec

Omvänd återhämtning Energi

T j =25℃

48.0

mJ

T j =125℃

96.0

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

R θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

19.7

K/kW

R θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

31.3

K/kW

R θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) ljuger)

8

K/kW

Vikt

Vikt Modul

1050

g