Y55KAD,Högfrekvent thyristor

Jag T(AV)

1520A

V DRM ,V RRM

1200V 1400V

tq

12~28µs

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( 。C)

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=55 。C

125

1520

A

VDRM VRRM

Upprepande topp avstängningsspänning Upprepande topp omvänd spänning

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

Repetitiv topp avstängd ström Repetitiv topp omvänd ström

vid VDRM vid VRRM

125

100

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

18

kA

I2t

I2t för smältkoordination

1620

A2s*103

VTO

Tröskelspänning

125

1.63

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.25

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A, F=26kN

25

3.20

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM= 67% VDRM till 2500A

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Återställningsladdning

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

105

120

μC

tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM= 1000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

300

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

20

400

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 1800 sinus, dubbel sida kyld Klammkraft 26kN

0.018

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.004

FM

Monteringskraft

21

30

kN

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

。C

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

。C

Wt

Vikt

590

g

Översikt

KT54cT