GD200CEX120C8SN,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Upprepande Höjdpunkt Samlar Nuvarande tp begränsad av T vjop

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

1293

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diode Kontinuerlig Framåtström ent

200

A

IFrån och med den 1 januari

Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad av T vjop

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.00

IC=200A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.05

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=8.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.6

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.52

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.40

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T vj =25o C

140

n

t r

Uppgångstid

31

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

239

n

t f

Hösttid

188

n

Epå

Tänd Växling Förlust

11.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

13.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T vj =125o C

146

n

t r

Uppgångstid

36

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

284

n

t f

Hösttid

284

n

Epå

Tänd Växling Förlust

19.4

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

18.9

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T vj =150o C

148

n

t r

Uppgångstid

37

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

294

n

t f

Hösttid

303

n

Epå

Tänd Växling Förlust

21.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

19.8

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T vj =25o C

20.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

220

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

7.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T vj =125o C

34.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

209

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

12.9

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T vj =150o C

38.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

204

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

14.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.150 0.239 0.046

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Vikt av Modul

200

g