Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 200A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Inverterare för motordrivning
- Förstärkare för AC- och DC-servoanström
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =100o C |
363
200
|
A |
Jag CRM |
Upprepande Höjdpunkt Samlar Nuvarande tp begränsad av T vjop |
400 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C |
1293 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diode Kontinuerlig Framåtström ent |
200 |
A |
Jag Från och med den 1 januari |
Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad av T vjop |
400 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
T vjmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T vjop |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =200A,V Generella =15V, T vj =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
Jag C =200A,V Generella =15V, T vj =125o C |
|
2.00 |
|
Jag C =200A,V Generella =15V, T vj =150o C |
|
2.05 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =8.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
1.0 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
18.6 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.52 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
1.40 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T vj =25o C
|
|
140 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
31 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
239 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
188 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
11.2 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
13.4 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T vj =125o C
|
|
146 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
36 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
284 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
284 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
19.4 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
18.9 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T vj =150o C
|
|
148 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
37 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
294 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
303 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
21.7 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
19.8 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
800
|
|
A
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =200A,V Generella =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Jag F =200A,V Generella =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F =200A,V Generella =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T vj =25o C
|
|
20.0 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
220 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
7.5 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T vj =125o C
|
|
34.3 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
209 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
12.9 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T vj =150o C
|
|
38.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
204 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
14.6 |
|
mJ |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.) |
|
|
0.116 0.185 |
K/W |
|
R thCH
|
Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) |
|
0.150 0.239 0.046 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M5 |
2.5 2.5 |
|
3.5 3.5 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
200 |
|
g |
EN
