Super-junction-MOSFET

Super-junction-MOSFET (metalloxidhalvledarfälttransistor) introducerar en laterell elektrisk fältstyrning utifrån den traditionella VDMOS, vilket gör att den vertikala elektriska fältfördelningen närmar sig en ideal rektangel. Denna struktur förbättrar enhetens spänningshållfasthet med cirka 20 % samtidigt som epitaxialmotståndet bibehålls. För produkter med samma spänningshållfasthetsspecifikationer kan den ytenhetsbaserade påståndemotståndet för super-junction-tekniken minskas till mindre än 1/8 av motsvarande värde för den traditionella strukturen, vilket uppnår en synergetisk optimering av påstånde- och frånståndsegenskaperna.
Vår super-junction-MOSFET-serie tillverkas med hjälp av djuprännteknik och flera epitaxiala processer och kännetecknas av låg genomgångsmotstånd och låg grindladdning. Den minskar väsentligt både genomgångs- och spärrförluster, vilket gör den särskilt lämplig för kraftelktroniska omvandlingssystem med hög effekttäthet och hög verkningsgrad.

Översikt över användningen av super-junction-MOSFET i OBC

Översikt över användningen av super-junction-MOSFET i OBC
De ideala laddningsplatserna för elbilar och hybridbilar är inte begränsade till laddstationer. Alla destinationer som tillhandahåller el förväntas kunna användas. En inbyggd laddare (OBC) är en anordning som omvandlar växelström till den erforderliga likströmmen för att ladda fordonet. Den möjliggör laddning av fordonet vid hem eller på arbetsplatsen. Dess kapacitet avgör laddningseffekten och verkningsgraden och påverkar direkt användarupplevelsen.