GD200FFY120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1200

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

309

200

A

Unë CM

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t p =1ms

400

A

P D

Maksimumi i humbjes së energjisë @ T =175 o C

1006

W

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V RRM

Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës

1200

V

Unë F

Dioda e vazhdueshme e përparme qira

200

A

Unë FM

Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t p =1ms

400

A

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

T jmax

Temperatura maksimale e kryqëzimit

175

o C

T jop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

-40 deri në +150

o C

T STG

Temperatura e ruajtjes Gjatësia

-40 deri në +125

o C

V ISO

Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin

Tensioni i ngopjes

Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =25 o C

1.70

2.15

V

Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =125 o C

1.95

Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =150 o C

2.00

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit Tensioni

Unë C =5.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -Të mbyllur

Aktual

V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,

T j =25 o C

1.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rezistenca e portës së brendshme ance

4.0

oh

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, T j =25 o C

150

ns

t r

Koha e ngritjes

32

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

330

ns

t f

Koha e rënies

93

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

11.2

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

11.3

mJ

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, T j = 125o C

161

ns

t r

Koha e ngritjes

37

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

412

ns

t f

Koha e rënies

165

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

19.8

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

17.0

mJ

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, T j = 150o C

161

ns

t r

Koha e ngritjes

43

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

433

ns

t f

Koha e rënies

185

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

21.9

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

19.1

mJ

Unë SC

Të dhënat e SC

t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V F

Diodë përpara

Tensioni

Unë F =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

Unë F =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T j = 125o C

1.65

Unë F =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V T j =25 o C

17.6

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

228

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

7.7

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V T j =125 o C

31.8

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

238

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

13.8

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V T j =150 o C

36.6

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

247

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

15.2

mJ

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

R 25

Rezistenca e Vlerësuar

5.0

kΩ

δR/R

Devijimi e R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Fuqia

Eliminimi

20.0

mW

B 25/50

Vlera B

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Vlera B

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Vlera B

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Ndryshe

Parametri

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

L CE

Induktiviteti i humbjes

21

nH

R CC+EE

Rezistenca e lidhes së modulit e, Larg Terminals të Chipit

1.80

mΩ

R thJC

Marrëveshja me rastin (për IGB) T)

Lidhja me rastin (për D) jod)

0.149

0.206

K/W

R thCH

Kasë në Shkëmbyes (për IGBT)

Kasë në Shkëmbyes (p er Diode)

Kasë në Shkëmbyes (për M odule)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Vira e montimit:M6

3.0

6.0

N.m.

G

Pesha e Moduli

300

g