GD100HHU120C6SD, Modul IGBT, STARPOWER

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Moduli IGBT ,prodhuar nga STARPOWER . 1200V 100A.

Veprime të Rralla

Teknologjia IGBT me VCE(sat) të ulët
aftësi për qarkullim të shkurtër 10μs
VCE(sat) me koeficient pozitiv temperature
Temperatura maksimale e lidhjes 175 ℃
Rregulli me induktivitet të ulët
Fast & butë rikuperim të kundërt anti-paralele FWD
Plaka e izolimit të bakrit duke përdorur teknologjinë DBC

Aplikimet Tipike

Furnizim energjie me mod switching
Ngrohje induktive
Lidhës elektronik

Absolut Maksimumi Ratinget T F =25 o C përveç shprehet vërtetë

IGBT

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V Tip	Tensioni kolektor-emitor	1200	V
V =150 °C	Tensioni i portës-emitësit	±20	V
Unë C	Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C @ T C =75 o C	146 100	A
Unë CM	Tresoret e Kolektprit me Pulsa t p =1ms	200	A
P D	Maksimumi i humbjes së energjisë @ T = 500A, =150 o C	771	W

Diodë

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V RRM	Tensioni i përsëritur i kthesës së prapme mosha	1200	V
Unë F	Dioda e vazhdueshme e paraqitjes Cu rrent	100	A
Unë FM	Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t p =1ms	200	A

Moduli

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
T vjmax	Temperatura maksimale e kryqëzimit	150	o C
T vjop	Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit	-40 deri në +125	o C
T STG	Varg temperatura e ruajtjes	-40 deri në +125	o C
V ISO	Spesha e izolimit Voltazh RMS, f=50Hz, t= 1min	2500	V

IGBT Karakteristikat T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =100A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =25 o C		3.00	3.45	V
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =100A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =125 o C		3.80		V
V Rryma e prerjes së kolektorit (e )	Pragu i portës-emitësit Tensioni	Unë C =4.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , T = 500A, =25 o C	4.5	5.5	6.5	V
Unë Tip	Kolektor Prerë -Të mbyllur Aktual	V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, T = 500A, =25 o C			5.0	= 0V,
Unë =150 °C	Shkarkimi i emitentit të portës Aktual	V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, T = 500A, =25 o C			400	nA
R Gint	Rezistenca e portës së brendshme ance			1.0		oh
C 150 °C	Ies	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		6.50		mHz
C μC	Transferimi i kundërt Kapaciteti	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		0.42		mHz
Q G	NF	V Rryma e prerjes së kolektorit =-15...+15V		1.10		±15V
t d (në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, LS =48 nH ,T = 500A, =25 o C		38		ns
t r	Koha e ngritjes			50		ns
t d(off)	Ndarja Koha e vonimit			330		ns
t f	Koha e rënies			27		ns
E në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			8.92		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			2.06		mJ
t d (në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, LS =48 nH ,T = 500A, =125 o C		37		ns
t r	Koha e ngritjes			50		ns
t d(off)	Ndarja Koha e vonimit			362		ns
t f	Koha e rënies			43		ns
E në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			10.7		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			3.69		mJ
Unë SC	Të dhënat e SC	t P ≤ 10 μs, V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =125 o C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		650		A

Diodë Karakteristikat T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V F	Diodë përpara Tensioni	Unë F =100A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =2 5o C		1.85	2.30	V
V F	Diodë përpara Tensioni	Unë F =100A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =125 o C		1.90		V
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V R =600V,I F =100A, -di/dt=2245A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =48 nH ,T = 500A, =25 o C		11.5		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			101		A
E rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			4.08		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V R =600V,I F =100A, -di/dt=2352A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =48 nH ,T = 500A, =125 o C		19.0		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			120		A
E rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			7.47		mJ

NTC Karakteristikat T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
R 25	Rezistenca e Vlerësuar			5.0		kΩ
∆R/R	Devijimi e R 100	T = 500A, =100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Fuqia Eliminimi				20.0	mW
B 25/50	Vlera B	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Vlera B	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Vlera B	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Moduli Karakteristikat T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

Ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
L CE	Induktiviteti i humbjes		21		nH
R CC+EE	Rezistenca e Modulit të Lidhses, Terminal në çip		2.60		mΩ
R thJC	Qendra e ndërlidhjes -për -RASTE (perIGBT ) Lidhja me rastin (për Di) ode)			0.162 0.401	K/W
R thCH	RASTE -për -Lavaman (perIGBT ) Kaseta në Shkarkim (për Diode) Kasë në Shkëmbyes (për M odule)		0.051 0.125 0.009		K/W
M	Torku i Montimit, Bolti M6	3.0		6.0	N.m.
G	Pesha e Moduli		300		g