YMIBD500-33,IGBT Модуль,Двухключевой IGBT,CRRC

(Символ)

(Параметр)

(Условия испытаний)

(значение)

(Единица)

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

В

V GES

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

В

I C

Ток коллектор-эмиттер

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C(PK)

Пиковый коллекторный ток

1 мс, T case = 140 °C

1000

A

P max

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

кВт

I 2t

Диод I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Напряжение изоляции – на модуль

Общие конечные точки к основной пластине),

AC RMS,1 мин, 50Hz

6000

В

Q PD

Частичное разряд – на модуль

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

пК

Т кейс ческие характеристики C Т кейс = 25 ° C если только = 25° иначе

(Символ )

(Параметр)

(Условия испытаний)

(Мин )

(Тип )

(Макс )

(Единица )

Я CES

Ток отсечения коллектора

В GE указано В СЕ = В CES

1

mA

В GE указано В СЕ = В CES , Т кейс = 0V,

30

mA

В GE указано В СЕ = В CES , Т кейс =150 °C

50

mA

Я ГЭС

=125 °C ток

В GE утечка затвора В СЕ = ±20V,

1

μA

В GE = 0V

Напряжение порога затвора

Я C (TH) mA , В GE = В СЕ

5.50

6.10

7.00

В

В СЕ (сидел )= 40

Насыщение коллектор-эмиттер напряжение

В GE =15В, Я C = 500А

2.40

2.90

В

В GE =15В, Я C (*1) Т vj = 125 °C

2.95

3.40

В

В GE =15В, Я C (*1) Т vj = 150 °C

3.10

3.60

В

Я К

Диодный прямой ток

Постоянный ток

500

A

Я ФРМ

= 500A, ток

т P = 1мс

1000

A

В К = 40

Прямое напряжение диода

Я К = 500А

2.10

2.60

В

Я К (*1) Т vj = 125 °C

2.25

2.70

В

Я К (*1) Т vj = 150 °C

2.25

2.70

В

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ максимальный прямой диод В GE указано к = 1МГц

90

нФ

Q g

Сбор за вход

± 15 В

9

μC

C res

= 25V, обратная передача ёмкости

В СЕ максимальный прямой диод В GE указано к = 1МГц

2

нФ

Л М

Модуль индуктивность

25

nH

R ИНТ

Сопротивление внутреннего транзистора

310

μΩ

Я SC

Короткое замыкание текущий Я SC

Т vj = 150°C, В CC = 2500V, В GE ≤ 15V, т p ≤ 10μs,

В СЕ (макс ) = В CES – Л (*2) × ди /dt ,ВЭК 6074-9

1800

A

td(off)

Время задержки выключения

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150нГ

V GE = ±15V RG ((ON) = 3,0Ω RG ((OFF) = 4,5Ω

1720

nS

t f

Время спада

520

nS

E OFF

Потеря энергии при выключении

780

mJ

td(on)

Время задержки включения

650

nS

tr

Время нарастания

260

nS

EON

Потеря энергии при включении

730

mJ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F =500A

VCE =1800В

diF\/dt =2100A\/us

390

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

420

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

480

mJ

(Символ)

(Параметр)

(Условия испытаний)

(Мин)

(тип)

(Макс)

(Единица)

td(off)

Время задержки выключения

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3,0Ω RG ((OFF) = 4,5Ω

1860

nS

t f

Время спада

550

nS

E OFF

Потеря энергии при выключении

900

mJ

td(on)

Время задержки включения

630

nS

tr

увеличивается время Время нарастания

280

nS

EON

Потеря энергии при включении

880

mJ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F =500A

VCE =1800В

diF\/dt =2100A\/us

620

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

460

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

760

mJ

(Символ)

(Параметр)

(Условия испытаний)

(Мин)

(тип)

(Макс)

(Единица)

td(off)

Время задержки выключения

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3,0Ω RG ((OFF) = 4,5Ω

1920

nS

t f

Время спада

560

nS

E OFF

Потеря энергии при выключении

1020

mJ

td(on)

Время задержки включения

620

nS

tr

Время нарастания

280

nS

EON

Потеря энергии при включении

930

mJ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F =500A

VCE =1800В

diF\/dt =2100A\/us

720

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

490

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

900

mJ