CM4226, высокопроизводительный, биполярный измерительный усилитель

Обзор
CM4226 — это программируемый высокопроизводительный биполярный измерительный усилитель с регулируемым коэффициентом усиления, обеспечивающий лучшее в отрасли подавление синфазных сигналов (CMRR) в широком диапазоне частот. Традиционные измерительные усилители демонстрируют снижение CMRR на частотах в сотни герц, тогда как CM4226 сохраняет высокое значение CMRR более 80 дБ при коэффициенте усиления 1 в полосе пропускания 10 кГц. Выдающееся подавление синфазных сигналов позволяет эффективно подавлять широкополосные помехи и гармоники, значительно упрощая требования к фильтрации.

Благодаря низкому смещению напряжения, низкому дрейфу смещения, низкому дрейфу усиления, высокой точности усиления и высокому CMRR, этот чип идеально подходит для применений, требующих оптимальной работы с постоянным током, таких как согласование сигналов мостовых схем.

Программируемое усиление обеспечивает гибкость проектирования: один внешний резистор задаёт коэффициент усиления от 1 до 1000. CM4226 может работать от однополярного или двухполярного питания и поддерживает входные напряжения до ±10 В.

Модель CM4226 доступна в корпусах SOP8 и MSOP8 с оптимальным диапазоном рабочих температур от −40°C до 85°C. Устройство остаётся работоспособным в диапазоне от 85°C до 125°C с незначительным снижением производительности.

Особенности

• Широкий диапазон напряжения питания: ±2,3 В до ±18 В
• Напряжение смещения на входе: 40 мкВ (максимум)
• Температурный дрейф напряжения смещения на входе: 0,3 мкВ/°C (максимум)
• Ток смещения на входе: 0,5 нА (максимум)
• Низкий уровень шума входного напряжения: 7 нВ/√Гц (максимум)
• Эквивалентный входной шум: 0,2 мкВpp (типичное значение, 0,1 Гц – 10 Гц)
• Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR): 80 дБ (постоянный ток) / 80 дБ (10 кГц) (G = 1)
• Полоса пропускания для малого сигнала (-3 дБ): 1000 кГц (G = 1)
• Скорость нарастания выходного сигнала (Slew rate): 2,4 В/мкс
• Программируемый коэффициент усиления с помощью одного внешнего резистора (G = 1–1000)
• Корпуса SOP8 (4,9 мм × 3,9 мм) и MSOP8 (3 мм × 3 мм)

Применения

• Приборостроение
• Цепи обработки сигнала датчика
• Системы сбора данных
• Электромагнитные расходомеры
• Медицинские инструменты

Соп8

MSPO8

О нас

Мы фокусируемся на применение iGBT и ИС товары . На основе применения продуктов IGBT и ИС мы расширили спектр нашей продукции до кастомизации высокопроизводительных силовых сборок; одновременно с этим наш бизнес вышел в область изделий автоматизированного управления, включая АЦП/ЦАП, стабилизаторы напряжения с низким падением (LDO), измерительные усилители, электромагнитные реле, фототиристорные реле (PhotoMOS) и МОП-транзисторы (MOSFET). Таким образом, мы можем сотрудничать с ведущими китайскими производителями в наших областях экспертизы, чтобы предоставлять нашим клиентам надёжные и экономически эффективные продукты.
Основанные на принципах инноваций и совершенства, мы находимся в авангарде альтернативных решений и технологий в области полупроводников.
Наше видение заключается в том, чтобы предоставлять альтернативные решения для наших клиентов, повышать соотношение стоимости и производительности их решений для применения и обеспечивать безопасность их цепочек поставок за счёт производства в Китае.

Наши пользователи

1.Лаборатория надёжности

Надежность является краеугольным камнем качества продукции и важнейшей характеристикой качества. Наша лаборатория создана в соответствии с международными отраслевыми стандартами и полностью оснащена комплексом испытательных возможностей. В ней проводятся испытания на рост надежности, квалификационные испытания на надежность, ресурсные испытания, скрининговые испытания и другие оценки электронной продукции. Также возможны индивидуальные испытания на надежность по требованиям заказчика.

• Испытание при высокой температуре с подачей напряжения на затвор (HTGB)
• Испытание при высокой температуре с обратным смещением (HTRB)
• Испытание на срок службы при низкой температуре хранения (LTSL)
• Испытание в автоклаве (PCT)
• Ускоренное испытание при высокой температуре и высокой влажности (H3TRB)
• Испытание на срок службы при прерывистом режиме работы (IOL)
• Испытание на срок службы при высокой температуре хранения (HTSL)
• Неусиленное высокоускоренное испытание на воздействие стресс-факторов (uHAST)

2.Лаборатория оценки продукции и её применения

(1) Испытания и оценка устройств

• Испытания и оценка различных полевых МОП-транзисторов (MOSFET), биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), диодов и широкозонных силовых полупроводниковых приборов, охватывающие параметры устройств до 1700 В / 2000 А
• Испытываемые параметры включают: вольт-амперные (I-V) характеристики, вольт-фарадные (C-V) характеристики, заряд затвора (Qg), сопротивление затвора (Rg), коммутационные характеристики, обратное восстановление, лавинный пробой и устойчивость к короткому замыканию

• Испытания систем электропитания

Наши инженеры по применению обладают многолетним опытом проектирования источников питания и применения силовых полупроводниковых приборов, обеспечивая клиентов всесторонней технической поддержкой. Испытываемые параметры включают:

• Тестирование эффективности
• Испытания на нагрев
• Проведение испытаний на электромагнитные помехи (EMI)
• Испытания на импульсные перенапряжения