TG1800HF17H1-S500, Модуль IGBT, Полумост IGBT, CRRC

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

число Значение

单位 Единица

V CES

集电极 -эмиттерное напряжение

Напряжение коллектор-эмиттер

V GE указано T C = 25 °C

1700

V

V ГЭС

затвор -эмиттерное напряжение

Напряжение затвор-эмиттер

T C = 25 °C

± 20

V

О C

集电极电流 (включая электрический ток)

Ток коллектор-эмиттер

T C = 85 °C, T vj макс. = 175°C

1800

А

О C(PK)

集电极峰值电流 (сводный электрический ток)

Пиковый коллекторный ток

t P =1 мс

3600

А

P макс.

максимальная потеря в транзисторе

Максимальная мощность рассеяния транзистора

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

кВт

О 2t

диод О 2t 值 Диод О 2t

V Пруток =0V, t P = 10 мс, T vj = 175 °C

551

kA2s

V изолированный

绝缘电压 (模块 )

Изоляция напряжение - на модуль

短接 все узлы, узлы и основы между ними ( Соединительный вывод с до основная плата ) Переменный ток RMS1 минимум 50 Гц, T C = 25 °C

4000

V

参数 Символ

описание

Объяснение

值 Значение

单位 Единица

дистанция пробоя

Расстояние ползания

клемма -радиатор

Клемма к радиатор

36.0

мм

клемма -клемма

Терминал к терминалу

28.0

мм

изоляционный зазор Распродажа

клемма -радиатор

Клемма к радиатор

21.0

мм

клемма -клемма

Терминал к терминалу

19.0

мм

относительный индекс утечки тока из-за загрязнений

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

Пруток th ((j-c) IGBT

IGBT тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Тепловая сопротивление – IGBT

16

K / кВт

Пруток th ((j-c) Диод

тепловое сопротивление кристалла диода

Тепловая сопротивление – Диод

33

K / кВт

Пруток th ((c-h) IGBT

тепловое сопротивление контакта (IGBT)

Тепловая сопротивление –

корпус к радиатору (IGBT)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

14

K / кВт

Пруток th ((c-h) Диод

тепловое сопротивление контакта (Диод)

Тепловая сопротивление –

корпус к радиатору (Диод)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

17

K / кВт

T vjop

рабочий период

Рабочий переход температура

IGBT чип ( IGBT )

-40

150

°C

диодный чип ( Диод )

-40

150

°C

T сТГ

температура хранения

Диапазон температур хранения

-40

150

°C

М

√ √ √ √ √ √ √

Момент затяжки

для установки и крепления – M5 Монтаж – M5

3

6

Нм

для межсоединения цепей – M4

Электрические соединения – M4

1.8

2.1

Нм

для межсоединения цепей – М8

Электрические соединения – М8

8

10

Нм

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

Пруток th ((j-c) IGBT

IGBT тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Тепловая сопротивление – IGBT

16

K / кВт

Пруток th ((j-c) Диод

тепловое сопротивление кристалла диода

Тепловая сопротивление – Диод

33

K / кВт

Пруток th ((c-h) IGBT

тепловое сопротивление контакта (IGBT)

Тепловая сопротивление –

корпус к радиатору (IGBT)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

14

K / кВт

Пруток th ((c-h) Диод

тепловое сопротивление контакта (Диод)

Тепловая сопротивление –

корпус к радиатору (Диод)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

17

K / кВт

T vjop

рабочий период

Рабочий переход температура

IGBT чип ( IGBT )

-40

150

°C

диодный чип ( Диод )

-40

150

°C

T сТГ

температура хранения

Диапазон температур хранения

-40

150

°C

М

√ √ √ √ √ √ √

Момент затяжки

для установки и крепления – M5 Монтаж – M5

3

6

Нм

для межсоединения цепей – M4

Электрические соединения – M4

1.8

2.1

Нм

для межсоединения цепей – М8

Электрические соединения – М8

8

10

Нм

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

Пруток 25

номинальное сопротивление

Номинальный сопротивление

T C = 25 °C

5

кΩ

△Пруток /R

R100 отклонение

Отклонение от R100

T C = 100 °C, Пруток 100=493Ω

-5

5

%

P 25

рассеиваемая мощность

Диссипация мощности

T C = 25 °C

20

мВт

B 25/50

В- 值

B-значение

Пруток 2 = Пруток 25эксп [B 25/50(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

К

B 25/80

В- 值

B-значение

Пруток 2 = Пруток 25эксп [B 25/80(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

К

B 25/100

В- 值

B-значение

Пруток 2 = Пруток 25эксп [B 25/100(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

К

符号 Символ

参数名称 Параметры

条件

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

О CES

集电极截止电流 (объединение электрического потока)

Ток отсечения коллектора

V GE указано V СЕ = V CES

1

mA

V GE указано V СЕ = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE указано V СЕ = V CES , T vj =175 °C

60

mA

О ГЭС

极漏电流 (очень пропускной)

Врата ток утечки

V GE утечка затвора V СЕ = 0V

0.5

μA

V GE = 0V

затвор -напряжение порога эмиттера Напряжение порога затвора

О C = 60mA, V GE = V СЕ

5.1

5.7

6.3

V

V СЕ (вкл) (*1)

集电极 -напряжение насыщения эмиттера

Насыщение коллектор-эмиттер

напряжение

V GE =15В, О C = 1800A

1.70

V

V GE =15В, О C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15В, О C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

О F

прямой постоянный ток диода Диодный прямой ток

Постоянный ток

1800

А

О ФРМ

повторяющийся пик прямого тока диода Диод пиковый прямой ток нт

t P = 1мс

3600

А

V F (*1)

прямое напряжение диода

Прямое напряжение диода

О F = 1800A, В GE = 0

1.60

V

О F = 1800A, В GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

О F = 1800A, В GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

О SC

ток короткого замыкания

Короткое замыкание текущий

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, t p ≤10μs,

V CE(макс) = V CES – Л (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

А

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ максимальный прямой диод V GE указано f = 100KHZ

542

нФ

Q g

极电荷

Сбор за вход

± 15 В

23.6

μC

C res

вратная мощность передачи

Капацитет обратной передачи

V СЕ максимальный прямой диод V GE указано f = 100KHZ

0.28

нФ

Л sCE

модульная паразитная индуктивность

Module stray inducta - Не

8.4

nH

Пруток CC ’+EE ’

сопротивление выводов модуля, терминалы -чип М odule lead сопротивление, terminal-chip

на каждый ключ

per switch

0.20

мОм

Пруток Гинт

внутреннее сопротивление затвора

Внутренний затвор резистор

1

ω

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

t d(off)

задержка отключения

Время задержки выключения

О C =1800A,

V СЕ = 900В,

V GE = ±15V, Пруток G(OFF) = 0.5Ом, Л S = 25нГн,

d v ∕dt =3800В∕μс (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

nS

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

снижение времени Время спада

T vj = 25 °C

245

nS

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

Е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

потери при отключении

Потеря энергии при выключении

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d(on)

开通延迟时间

Время задержки включения

О C =1800A,

V СЕ = 900В,

V GE = ±15V, Пруток G(ON) = 0.5Ом, Л S = 25нГн,

d о ∕dt = 8500А∕μс (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

nS

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t пруток

увеличивается время Время нарастания

T vj = 25 °C

135

nS

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

Е По

потери при включении

Энергия включения потеря

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q рР

обратный восстанавливающий заряд диода Диод обратный

заряд восстановления

О F =1800A, V СЕ = 900В,

- d о F /dt = 8500А∕μс (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

О рР

обратный восстанавливающий ток диода Диод обратный

ток восстановления

T vj = 25 °C

1330

А

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

Е rec

потери обратного восстановления диода Диод обратный

энергия восстановления

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420