TG1800HF17H1-S500, Модуль IGBT, Полумост IGBT, CRRC

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

число Значение

单位 Единица

В CES

集电极 -эмиттерное напряжение

Напряжение коллектор-эмиттер

В GE указано Т C = 25 °C

1700

В

В ГЭС

затвор -эмиттерное напряжение

Напряжение затвор-эмиттер

Т C = 25 °C

± 20

В

Я C

集电极电流 (включая электрический ток)

Ток коллектор-эмиттер

Т C = 85 °C, Т vj макс = 175°C

1800

A

Я C(PK)

集电极峰值电流 (сводный электрический ток)

Пиковый коллекторный ток

т P =1 мс

3600

A

P макс

максимальная потеря в транзисторе

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Т vj = 175°C, Т C = 25 °C

9.38

кВт

Я 2т

диод Я 2т 值 Диод Я 2т

В R =0V, т P = 10 мс, Т vj = 175 °C

551

кА 2с

В изолированный

绝缘电压 (模块 )

Изоляция напряжение - на модуль

短接 все узлы, узлы и основы между ними ( Соединительный вывод с до основная плата ) Переменный ток RMS1 минимум 50 Гц, Т C = 25 °C

4000

В

参数 Символ

описание

Объяснение

值 Значение

单位 Единица

дистанция пробоя

Расстояние ползания

клемма -радиатор

Клемма к радиатор

36.0

мм

клемма -клемма

Терминал к терминалу

28.0

мм

изоляционный зазор Распродажа

клемма -радиатор

Клемма к радиатор

21.0

мм

клемма -клемма

Терминал к терминалу

19.0

мм

относительный индекс утечки тока из-за загрязнений

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

R th ((j-c) IGBT

IGBT тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Термальный сопротивление – IGBT

16

K / кВт

R th ((j-c) Диод

тепловое сопротивление кристалла диода

Термальный сопротивление – Диод

33

K / кВт

R th ((c-h) IGBT

тепловое сопротивление контакта (IGBT)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (IGBT)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

14

K / кВт

R th ((c-h) Диод

тепловое сопротивление контакта (Диод)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (Диод)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

17

K / кВт

Т vjop

рабочий период

Рабочий переход температура

IGBT чип ( IGBT )

-40

150

°C

диодный чип ( Диод )

-40

150

°C

Т сТГ

температура хранения

Диапазон температур хранения

-40

150

°C

М

√ √ √ √ √ √ √

Момент затяжки

для установки и крепления – М5 Монтаж – М5

3

6

Нм

для межсоединения цепей – M4

Электрические соединения – M4

1.8

2.1

Нм

для межсоединения цепей – М8

Электрические соединения – М8

8

10

Нм

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

R th ((j-c) IGBT

IGBT тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Термальный сопротивление – IGBT

16

K / кВт

R th ((j-c) Диод

тепловое сопротивление кристалла диода

Термальный сопротивление – Диод

33

K / кВт

R th ((c-h) IGBT

тепловое сопротивление контакта (IGBT)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (IGBT)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

14

K / кВт

R th ((c-h) Диод

тепловое сопротивление контакта (Диод)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (Диод)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

с монтаж смазка 1Вт/м·К

17

K / кВт

Т vjop

рабочий период

Рабочий переход температура

IGBT чип ( IGBT )

-40

150

°C

диодный чип ( Диод )

-40

150

°C

Т сТГ

температура хранения

Диапазон температур хранения

-40

150

°C

М

√ √ √ √ √ √ √

Момент затяжки

для установки и крепления – М5 Монтаж – М5

3

6

Нм

для межсоединения цепей – M4

Электрические соединения – M4

1.8

2.1

Нм

для межсоединения цепей – М8

Электрические соединения – М8

8

10

Нм

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

R 25

номинальное сопротивление

Номинальный сопротивление

Т C = 25 °C

5

кΩ

△ R /R

R100 отклонение

Отклонение от R100

Т C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

рассеиваемая мощность

Диссипация мощности

Т C = 25 °C

20

мВт

B 25/50

В- 值

B-значение

R 2 = R 25эксп [B 25/50 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

К

B 25/80

В- 值

B-значение

R 2 = R 25эксп [B 25/80 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

К

B 25/100

В- 值

B-значение

R 2 = R 25эксп [B 25/100 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

К

符号 Символ

参数名称 Параметры

条件

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

Я CES

集电极截止电流 (объединение электрического потока)

Ток отсечения коллектора

В GE указано В СЕ = В CES

1

mA

В GE указано В СЕ = В CES , Т vj =150 °C

40

mA

В GE указано В СЕ = В CES , Т vj =175 °C

60

mA

Я ГЭС

极漏电流 (очень пропускной)

Врата ток утечки

В GE утечка затвора В СЕ = 0V

0.5

μA

В GE = 0V

затвор -напряжение порога эмиттера Напряжение порога затвора

Я C = 60mA, В GE = В СЕ

5.1

5.7

6.3

В

В СЕ (вкл) = 40

集电极 -напряжение насыщения эмиттера

Насыщение коллектор-эмиттер

напряжение

В GE =15В, Я C = 1800A

1.70

В

В GE =15В, Я C = 1800A, Т vj = 150 °C

2.10

В

В GE =15В, Я C = 1800A, Т vj = 175 °C

2.15

В

Я К

прямой постоянный ток диода Диодный прямой ток

Постоянный ток

1800

A

Я ФРМ

повторяющийся пик прямого тока диода Диод пиковый прямой ток нт

т P = 1мс

3600

A

В К = 40

прямое напряжение диода

Прямое напряжение диода

Я К = 1800A, В GE = 0

1.60

В

Я К = 1800A, В GE = 0, Т vj = 150 °C

1.75

В

Я К = 1800A, В GE = 0, Т vj = 175 °C

1.75

В

Я SC

ток короткого замыкания

Короткое замыкание ток

Т vj = 175°C, В CC = 1000V, В GE ≤ 15V, т p ≤ 10μs,

В CE(макс) = В CES – Л (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ максимальный прямой диод В GE указано к = 100KHZ

542

нФ

Q g

极电荷

Сбор за вход

± 15 В

23.6

μC

C res

вратная мощность передачи

Капацитет обратной передачи

В СЕ максимальный прямой диод В GE указано к = 100KHZ

0.28

нФ

Л sCE

модульная паразитная индуктивность

Module stray inducta - Не

8.4

nH

R CC + EE ’

сопротивление выводов модуля, терминалы -чип М odule lead сопротивление, terminal-chip

на каждый ключ

per switch

0.20

мОм

R Гинт

внутреннее сопротивление затвора

Внутренний затвор резистор

1

ω

符号 Символ

参数名称 Параметры

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение Макс.

单位 Единица

т d(off)

задержка отключения

Время задержки выключения

Я C =1800A,

В СЕ = 900В,

В GE = ± 15V, R G(OFF) = 0.5Ом, Л С = 25нГн,

г в ∕dt =3800В∕μс (Т vj = 150 °C).

Т vj = 25 °C

1000

nS

Т vj = 150 °C

1200

Т vj = 175 °C

1250

т к

снижение времени Время спада

Т vj = 25 °C

245

nS

Т vj = 150 °C

420

Т vj = 175 °C

485

Е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

потери при отключении

Потеря энергии при выключении

Т vj = 25 °C

425

mJ

Т vj = 150 °C

600

Т vj = 175 °C

615

т d(on)

开通延迟时间

Время задержки включения

Я C =1800A,

В СЕ = 900В,

В GE = ± 15V, R G(ON) = 0.5Ом, Л С = 25нГн,

г я ∕dt = 8500А∕μс (Т vj = 150 °C).

Т vj = 25 °C

985

nS

Т vj = 150 °C

1065

Т vj = 175 °C

1070

т r

увеличивается время Время нарастания

Т vj = 25 °C

135

nS

Т vj = 150 °C

205

Т vj = 175 °C

210

Е НА

потери при включении

Энергия включения потеря

Т vj = 25 °C

405

mJ

Т vj = 150 °C

790

Т vj = 175 °C

800

Q рР

обратный восстанавливающий заряд диода Диод обратный

заряд восстановления

Я К =1800A, В СЕ = 900В,

- d я К /dt = 8500А∕μс (Т vj = 150 °C).

Т vj = 25 °C

420

μC

Т vj = 150 °C

695

Т vj = 175 °C

710

Я рР

обратный восстанавливающий ток диода Диод обратный

ток восстановления

Т vj = 25 °C

1330

A

Т vj = 150 °C

1120

Т vj = 175 °C

1100

Е rec

потери обратного восстановления диода Диод обратный

энергия восстановления

Т vj = 25 °C

265

mJ

Т vj = 150 °C

400

Т vj = 175 °C

420