Краткое введение:
Высоковольтные одноключевые модули IGBT, произведенные CRRC. 3300В 1200А.
Особенности
- SPT+чип-сет для ультранизких переключательных потерь
- Низкое VCE sat
- Низкая мощность управления
- Пластина основания AlSiC для высокой способности к циклам мощности
- АльН-субстрат для низкой теплостойкости
Типовой применение
- Тяговые приводы
- DC чоппер
- Инверторы/преобразователи среднего напряжения
- Система UPS среднего напряжения
- Система ветровой энергии
Максимальные номинальные значения
Параметры |
Символ |
Условия |
М в |
М ax |
Единица |
Напряжение коллектор-эмиттер |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
В |
Постоянный ток коллекторный ток |
Ic |
TC = 80 °C |
|
1200 |
A |
Пиковый коллекторный ток |
МКК |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
A |
Напряжение затвора эмиттера |
VGE |
|
-20 |
20 |
В |
Общая рассеиваемость мощности |
Ptot |
TC =25°C, на переключение(IGBT) |
|
10500 |
В |
Прямой ток |
IF |
|
|
1200 |
A |
Пиковый переходный ток |
IFRM |
tp = 1 мс |
|
2400 |
A |
Перегонный ток |
МФСМ |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 мс, полусинеонная
|
|
9000 |
A |
IGBT короткозамыкание SOA |
tpsc |
ВВС = 2500 В, ВЦЭМ CHIP ≤ 3300 В ВГЭ ≤ 15 В, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
Изоляционное напряжение |
Visol |
1 мин, f = 50 Гц |
|
10200 |
В |
Температура соединения |
Телевидение |
|
|
150 |
°C |
Рабочая температура развязки |
Телевидение |
|
-50 |
125 |
°C |
Температура корпуса |
TC |
|
-50 |
125 |
°C |
Температура хранения |
ТСТГ |
|
-50 |
125 |
°C |
|
Монументы установки
|
M s |
База-радиатор, винты M6 |
4 |
6 |
Нм
|
Mt1 |
Главные клеммы, винты M8 , |
8 |
10 |
Mt2 |
Вспомогательные клеммы, винты M6 |
2 |
3 |
Характеристика IGBT
Параметры |
Символ |
Условия |
мин |
тип |
макс |
Единица |
Напряжение пробоя коллектора (- эмиттера) |
V ((BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
В
|
Напряжение насыщения коллектора |
VCE sat
|
C = 1200 A, VGE = 15 В
|
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
В |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
В |
Коллектор отключен |
ICES |
VCE = 3300 В, VGE = 0 В
|
Tvj=25°C |
|
|
12 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
mA |
Ток утечки затвора |
IGES |
ВЭС = 0 В, ВГЭ = ± 20 В, Tvj = 125 °C
|
-500 |
|
500 |
нД
|
Пороговое напряжение выпускателя |
VGE (th) |
IC =240мА,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
В |
Сбор за вход |
Главный офис |
IC = 1200 A VCE = 1800V VGE = -15V..15V |
|
12.1 |
|
мК |
Входной пропускной способностью |
- Да, конечно. |
ВЭС = 25 В, В ГЭ = 0 В, f = 1 МГц, Tvj = 25 °С
|
|
187 |
|
нФ |
Выходной объем |
Коэ |
|
11.57 |
|
нФ |
Капацитет обратной передачи |
Крес |
|
2.22 |
|
нФ |
Время задержки включения |
td(on)
|
ВСК = 1800 В, ИС = 1200 А,
RG = 3,9Ω, VGE = ± 15В
L σ = 280нГн, индуктивная нагрузка
|
Tvj=25°C |
|
750 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
nS |
Время нарастания |
tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
470 |
|
nS |
Время задержки выключения |
td(off) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
nS |
Время спада |
tF |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
nS |
Потеря переключения |
EON
|
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
mJ |
Энергия потерь при переключении отключения |
EOFF
|
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
mJ |
Короткое замыкание |
Isc
|
ВСК = 2500 В, ВГЭ = 15 В, L σ = 280 нН, индуктивная нагрузка |
|
5000
|
|
A
|
Характеристика диода
Параметры |
Символ |
Условия |
мин |
тип |
макс |
Единица |
Напряжение вперед |
VF
|
Если = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
В |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
В |
Обратный рекуперационный ток |
Irr
|
VCC= 1800 В, IC= 1200 A,
RG=2.3Ω ,VGE=±15В, L σ = 280нГн,индуктивная нагрузка
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
A |
Восстановленная зарядка |
Qrr
|
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
мК |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
мК |
Время восстановления |
trr
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
nS |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
nS |
Энергия обратной рекуперации |
Erec
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
mJ |
EN
