Модуль IGBT, GD950HTX75P6H Srarpower

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =75o C

450

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1900

A

PD

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75o C T vj =175o C

877

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

V

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1900

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни

-40 до +150 +150 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=450A,V GE =15В, T vj =25o C

1.35

1.60

V

Я C=450A,V GE =15В, T vj =150o C

1.60

Я C=450A,V GE =15В, T vj =175o C

1.65

Я C=950А,В GE =15В, T vj =25o C

1.75

Я C=950А,В GE =15В, T vj =175o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=9.60mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

4.9

5.8

6.5

V

Я C=9.60mA ,V СЕ =V GE , T vj =175 o C

4.1

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =50В, f=100kHz, V GE =0В

69.1

нФ

C- Да.

Выходной объем

2.31

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

1.05

нФ

В. Г

Сбор за вход

V СЕ =400В, I C =450A, V GE =-8...+15В

3.29

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=450A, Пруток Г = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LС =24нГн,

T vj =25o C

191

nS

t пруток

Время нарастания

83

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

543

nS

t f

Время спада

158

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

16.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

20.5

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=450A, Пруток Г = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LС =24нГн,

T vj =150o C

207

nS

t пруток

Время нарастания

96

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

594

nS

t f

Время спада

190

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

22.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

24.5

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=450A, Пруток Г = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LС =24нГн,

T vj =175o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

103

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

613

nS

t f

Время спада

190

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

26.7

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.9

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤6μs,V GE =15В,

4800

A

T vj =25o C,V CC =400В, V СМК ≤750В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

Я F =450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

Я F =450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

Я F =950А,В GE =0V,T vj =25o C

1.75

Я F =950А,В GE =0V,T vj =175o C

1.75

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8В LС =24nH ,T vj =25o C

16.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

222

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

4.50

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=4810A/μс,V GE =-8В LС =24nH ,T vj =150o C

32.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

283

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

8.19

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=4630A/μс,V GE =-8В LС =24nH ,T vj =175o C

36.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

292

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

9.03

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

△p

△V/ △t=10,0 дм 3/мИН ,T F =75o C

64

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

T основание <40o C

T основание 40o C

(относительное давление)

2.5 2.0

пруток

Пруток фНП

Переходный пункт —до —Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △V/ △t=10,0 дм 3/мИН ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

750

г