GD200HFX120C8SN, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

363

200

А

О CRM

Повторяющийся Пик Коллектор Текущий tp ограниченный от T vjop

400

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

1293

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

А

О ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Текущий tp ограниченный от T vjop

400

А

Символ

Описание

Ценности

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =200A,В GE =15В, T vj =25o C

1.75

2.20

V

О C =200A,В GE =15В, T vj =125o C

2.00

О C =200A,В GE =15В, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =8.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

18.6

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.52

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

1.40

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =200A, Пруток G =2.0Ω, Ls=50нГ, V GE =±15В, T vj =25o C

140

nS

t пруток

Время нарастания

31

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

239

nS

t f

Время спада

188

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

11.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

13.4

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =200A, Пруток G =2.0Ω, Ls=50нГ, V GE =±15В, T vj =125o C

146

nS

t пруток

Время нарастания

36

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

284

nS

t f

Время спада

284

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

19.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.9

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =200A, Пруток G =2.0Ω, Ls=50нГ, V GE =±15В, T vj =150o C

148

nS

t пруток

Время нарастания

37

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

294

nS

t f

Время спада

303

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

21.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

19.8

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

800

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

О F =200A,В GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

О F =200A,В GE =0V,T vj =125o C

1.90

О F =200A,В GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5710A/μс, Ls=50нГ, V GE = 15 В, T vj =25o C

20.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

220

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.5

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4740A/μс, Ls=50нГ, V GE = 15 В, T vj =125o C

34.3

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

209

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

12.9

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4400A/μс, Ls=50нГ, V GE = 15 В, T vj =150o C

38.7

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

204

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

14.6

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.116 0.185

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.150 0.239 0.046

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

2.5 2.5

3.5 3.5

Н.М

G

Вес из Модуль

200

g