■Особенности
-
Сверхнизкие потери, тонкий IGBT-кристалл
- Высокая надежность конструкции SPT+
- Большая SOA
- Пассивация: Нитрид плюс полиимид
■ Максимальное Номинальные значения
Параметры |
Символ |
Условия |
Значение |
Единица |
мин |
макс |
Напряжение коллектор-эмиттер |
В CES |
В GE = 0 В |
|
3300 |
В |
Ток в коллекторе постоянного тока |
Я C |
|
|
63 |
A |
Пиковый коллекторный ток |
Я CM |
Ограничен Tvjmax |
|
125 |
A |
Напряжение затвор-эмиттер |
В ГЭС |
|
-20 |
+20 |
В |
IGBT короткозамыкание SOA |
т псц |
В CC = 2500 В, В СМК ≤ 3300 В, В GE ≤ 15 В,T vj ≤ 150 ° C |
|
10 |
μs |
Температура соединения |
Т vj |
|
-40 |
125 |
°C |
■ Значения характеристик IGBT
Параметры |
Символ |
Условия |
Значение |
Единица |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
С напряжение пробоя коллектор-эмиттер |
V ((BR) CES |
VGE = 0 В, IC = 1 мА, Tvj = 25 °C |
3300 |
|
|
В |
Напряжение насыщения коллектора-эмиттера |
VCE(sat) |
IC = 63 А, VGE = 15 В |
Tvj = 25 °C |
|
2.45 |
2.95 |
В |
Tvj = 150 °C |
|
3.30 |
3.80 |
В |
Ограничительный ток коллектора-излучателя |
ICES |
VCE = 3300 В,VGE = 0 В |
Tvj = 25 °C |
|
|
100 |
µA |
Tvj = 150 °C |
|
2000 |
|
µA |
Ток утечки излучателя врат |
IGES |
VCE = 0 В,VGE = ±20 В, Tvj = 150 °C |
-500 |
|
500 |
нД |
Пороговое напряжение выпускателя |
VGE (th) |
IC = 10 мА, VCE = VGE, Tvj = 25 °C |
5.8 |
6.8 |
7.8 |
В |
Сбор за вход |
Главный офис |
IC = 63 А, VCE = 1800 В, VGE = -15 В ~ 15 В |
|
500 |
|
nC |
Входной пропускной способностью |
- Да, конечно. |
VCE = 25 В, VGE = 0 В, f = 1 МГц, Tvj = 25 °C
|
|
6.38 |
|
нФ |
Выходной объем |
Коэ |
|
0.5 |
|
нФ |
Капацитет обратной передачи |
Крес |
|
0.13 |
|
нФ |
Сопротивление внутреннего воротника |
RGint |
|
|
5 |
|
ω |
Время задержки включения |
td(on) |
VCC = 1800 В, IC = 63 А,
RG = 24 Ом, CGE = 13,75 нФ, VGE = ±15 В,
Ls = 3600 нГн, индуктивная нагрузка
|
Tvj = 25 °C |
|
600 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
680 |
|
nS |
Время нарастания |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
260 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
300 |
|
nS |
Время задержки выключения |
td(off) |
Tvj = 25 °C |
|
1700 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
1900 |
|
nS |
Время спада |
tF |
Tvj = 25 °C |
|
1000 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
1500 |
|
nS |
Включение переменной энергии |
EON |
VCC = 1800 В, IC = 63 А,
RG = 24 Ом, CGE = 13,75 нФ, VGE = ±15 В,
Ls = 3600 нГн, индуктивная нагрузка,
FWD: ½ DD125F33K2
|
Tvj = 25 °C |
|
67 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
91 |
|
mJ |
Выключение переменной энергии |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
88 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
110 |
|
mJ |
Короткое замыкание |
Isc |
VGE = 15 В, tpsc ≤ 10 мкс, VCC = 2500 В, Tvj = 150 °С, VCEM ≤ 3300 В |
|
270 |
|
A |
Каталог IGBT-кристаллов
- Разнообразный ассортимент продукции отвечает требованиям клиентов к IGBT-кристаллам с различным напряжением.
- Клиенты могут выбрать между пластинами диаметром 8 и 12 дюймов, что помогает им эффективно сокращать затраты.
IGBT Каталог кристаллов
Номер товара
|
С p эк |
ТЕХНОЛОГИЯ |
Полоса |
Напряжение |
C ток |
10 |
4500В |
50А |
Эп Т -FS |
|
3300В |
62.5 А |
Эп Т -FS |
|
1700В |
75А |
Trench-FS |
|
100А |
Trench-FS |
|
150А |
Trench-FS |
|
200А |
Trench-FS |
|
1200В |
100А |
Trench-FS |
|
140а |
Trench-FS |
|
150А |
Trench-FS |
|
200А |
Trench-FS |
|
250а |
Trench-FS |
|
300А |
Trench-FS |
|
950V |
100А |
Trench-FS |
|
200А |
Trench-FS |
|
750В |
200А |
Trench-FS |
|
315A |
Trench-FS |
|
650В |
75А |
Trench-F С |
|
Автоматизированные современные фабрики
Современная автоматизированная фабрика гарантирует высокую стабильность всех эксплуатационных показателей нашей продукции продукты минимизируя различия в параметрах каждого изделия настолько, насколько это возможно. Это не только обеспечивает надежность и стабильность наших продуктов, но также является важной гарантией безопасной и надежной работы оборудования наших клиентов.
Хорошо оснащенная лаборатория
Мы располагаем хорошо оснащенной лабораторией для тестирования и строго контролируем качество нашей продукции. Это обеспечивает 100% уровень соответствия качества поставляемых клиентам товаров.
Достаточные производственные мощности
Сильные комплексные возможности производителя и достаточные производственные мощности обеспечивают своевременную доставку каждого заказа.
Широкие применения
Наши кристаллы IGBT могут соответствовать требованиям производства модулей IGBT для электрического оборудования в промышленных областях, таких как железнодорожные перевозки, передача электроэнергии, солнечная электрогенерация, накопление энергии, устройства индукционного нагрева, сварочные аппараты и автоматические системы управления.
Широкий спектр промышленного применения полностью подтвердил качество наших кристаллов IGBT и получил высокую оценку и одобрение от клиентов.
Наши пользователи
Наши пользователи охватывают различные отрасли промышленности.
Почему выбирают нас?
B компания Beijing World E To Technology Co., Ltd. является ведущим поставщиком полупроводниковых продуктов, таких как IGBT модули, дискретные IGBT, чипы IGBT, АЦП/ЦАП, тиристоры в Китае, в основном занимающаяся официальным распространением брендов CRRC, Starpower, Techsem NARI. Имея право на импорт и экспорт, а также 11-летний опыт работы в этой отрасли, мы экспортируем продукцию в Россию, ОАЭ и многие другие страны Европы.
Мы предъявляем строгие требования к выбору производителей, наличие профессиональных технических команд и контроль качества продукции обеспечивает бесперебойную работу проектов наших клиентов в таких областях, как железнодорожный транспорт, энергетическая промышленность, электромобили, инверторы приводных двигателей и преобразователи частоты.
Тем временем, помощь клиентам в разработке различных тиристоров и силовых сборок в соответствии с их специальными параметрическими требованиями является еще одним важным компонентом нашей контрактной сборки и одним из наших преимуществ.
Безопасной доставки
Мы сотрудничаем с ведущими международными транспортными компаниями, чтобы обеспечить своевременную доставку.
В то же время мы тщательно упаковываем каждую партию продукция доставляемую нашим клиентам в соответствии с их требованиями, чтобы обеспечить целостность и отсутствие повреждений при получении товаров.
EN
