GD300HFX170C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

493

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

1829

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.30

В

Я C = 300 А,В GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C = 300 А,В GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

36.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.88

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.83

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R G =2.4Ω, Ls=42нГ, В GE =±15В,

Т vj =25 о C

355

nS

т r

Время нарастания

71

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

473

nS

т к

Время спада

337

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

89.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

46.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R G =2.4Ω, Ls=42нГ, В GE =±15В,

Т vj =125 о C

383

nS

т r

Время нарастания

83

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

549

nS

т к

Время спада

530

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

126

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

68.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R G =2.4Ω, Ls=42нГ, В GE =±15В,

Т vj =150 о C

389

nS

т r

Время нарастания

88

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

575

nS

т к

Время спада

585

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

139

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

73.4

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =1000V,

В СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.80

2.25

В

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =125 о C

1.95

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =150 о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К = 300A,

-di/dt=3247A/мкс,V GE = 15 В Лс =42 nH ,Т vj =25 о C

68

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

202

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

34.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К = 300A,

-di/dt=2579A/мкс,V GE = 15 В Лс =42 nH ,Т vj =125 о C

114

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

211

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

61.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К = 300A,

-di/dt=2395A/мкс,V GE = 15 В Лс =42 nH ,Т vj =150 о C

136

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

217

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

73.9

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.127

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.033 0.051 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g