GD300HFX170C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

493

300

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

1829

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C = 300 А,В GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

О C = 300 А,В GE =15В, T vj =125o C

2.25

О C = 300 А,В GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =12.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

36.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.88

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C = 300A, Пруток G =2.4Ω, Ls=42нГ, V GE =±15В,

T vj =25o C

355

nS

t пруток

Время нарастания

71

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

473

nS

t f

Время спада

337

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

89.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

46.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C = 300A, Пруток G =2.4Ω, Ls=42нГ, V GE =±15В,

T vj =125o C

383

nS

t пруток

Время нарастания

83

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

549

nS

t f

Время спада

530

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

126

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

68.5

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C = 300A, Пруток G =2.4Ω, Ls=42нГ, V GE =±15В,

T vj =150o C

389

nS

t пруток

Время нарастания

88

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

575

nS

t f

Время спада

585

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

139

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

73.4

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V СМК ≤1700V

1200

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

О F = 300 А,В GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

О F = 300 А,В GE =0V,T vj =125o C

1.95

О F = 300 А,В GE =0V,T vj =150o C

1.90

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=3247A/мкс,V GE = 15 В Лс =42nH ,T vj =25o C

68

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

202

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

34.5

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=2579A/мкс,V GE = 15 В Лс =42nH ,T vj =125o C

114

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

211

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

61.2

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=2395A/мкс,V GE = 15 В Лс =42nH ,T vj =150o C

136

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

217

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

73.9

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.127

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.033 0.051 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g