GD900SGX120C2SA_B20,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

И C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1410

900

А

И См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1800

А

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C

5000

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

И C=900A,V GE =15В, T j =25o C

1.80

2.25

V

И C=900A,V GE =15В, T j =125o C

2.10

И C=900A,V GE =15В, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

И C=22.5mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

И CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

И ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.6

ω

QG

Сбор за вход

V GE =- 15V…+15V

7.40

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=900A,

Пруток Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω, V GE =±15В,Т j =25o C

257

nS

t пруток

Время нарастания

96

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

nS

t f

Время спада

103

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

43

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

82

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=900A,

Пруток Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω,

V GE =±15В,Т j = 125o C

268

nS

t пруток

Время нарастания

107

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

nS

t f

Время спада

144

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

59

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

118

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=900A,

Пруток Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω,

V GE =±15В,Т j = 150o C

278

nS

t пруток

Время нарастания

118

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

t f

Время спада

155

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

64

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

134

mJ

И SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC =800V,

V СМК ≤ 1200 В

3600

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

И F =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

И F =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

И F =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

Qпруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

76

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

513

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

38.0

mJ

Qпруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В T j = 125o C

143

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

684

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

71.3

mJ

Qпруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В T j = 150o C

171

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

713

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

80.8

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.030

0.052

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.016

0.027

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g