GD1200SGX170A3S, 1700 В, 1200 А, модуль IGBT,

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

2400

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

8.77

КВт

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

2400

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=1200A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C=1200A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C=1200A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=48.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

145

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

3.51

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

11.3

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=1200A, Пруток Г =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LС =65nH ,T j =25o C

440

nS

t пруток

Время нарастания

112

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1200

nS

t f

Время спада

317

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

271

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

295

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=1200A, Пруток Г =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LС =65nH ,T j =125o C

542

nS

t пруток

Время нарастания

153

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1657

nS

t f

Время спада

385

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

513

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

347

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=1200A, Пруток Г =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LС =65nH ,T j =150o C

547

nS

t пруток

Время нарастания

165

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1695

nS

t f

Время спада

407

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

573

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

389

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

4800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

Я F =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

Я F =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9В, LС =65нГн,Т j =25℃

190

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

844

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

192

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050А/мкс,V GE =-9В, LС =65нГн,Т j =125℃

327

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1094

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

263

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330А/мкс,V GE =-9В, LС =65нГн,Т j =150℃

368

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1111

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

275

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.19

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

17.1 26.2

К/кВт

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

9.9 15.2 6.0

К/кВт

М

Терминал питания Винт:M4 Терминал питания Винт:M8 Монографный винт:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

1050

г