GD75HFX170C1S,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

150

A

PD

Максимальный Мощность Рассеяние @ T vj =175o C

539

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

150

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=75A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

Я C=75A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

Я C=75A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=3.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

8.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

9.03

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.22

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.71

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=75A, Пруток Г =6.8Ω,В GE =±15В, Лс =60nH ,T vj =25o C

237

nS

t пруток

Время нарастания

59

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

314

nS

t f

Время спада

361

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

25.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.5

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=75A, Пруток Г =6.8Ω,В GE =±15В, Лс =60nH ,T vj =125o C

254

nS

t пруток

Время нарастания

70

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

383

nS

t f

Время спада

524

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

33.3

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

15.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=75A, Пруток Г =6.8Ω,В GE =±15В, Лс =60nH ,T vj =150o C

257

nS

t пруток

Время нарастания

75

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

396

nS

t f

Время спада

588

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

36.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.6

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V

V СМК ≤1700V

300

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Я F =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15 В Лс =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

58

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

7.2

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15 В Лс =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

64

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

15.8

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15 В Лс =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

64

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

18.2

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.278 0.467

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.160 0.268 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

150

г