GD75HFX170C1S,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

136

75

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

150

A

P Г

Максимальное Мощность Рассеяние @ Т vj =175 о C

539

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

150

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =3.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

8.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

9.03

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.22

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.71

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,В GE =±15В, Лс =60 nH ,Т vj =25 о C

237

nS

т r

Время нарастания

59

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

314

nS

т к

Время спада

361

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

25.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,В GE =±15В, Лс =60 nH ,Т vj =125 о C

254

nS

т r

Время нарастания

70

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

383

nS

т к

Время спада

524

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

33.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

15.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,В GE =±15В, Лс =60 nH ,Т vj =150 о C

257

nS

т r

Время нарастания

75

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

396

nS

т к

Время спада

588

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

36.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.6

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C ,В CC =1000V

В СМК ≤1700V

300

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =75A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.80

2.25

В

Я К =75A,V GE =0V,T vj =12 5о C

1.90

Я К =75A,V GE =0V,T vj =15 0о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15 В Лс =60 nH ,Т vj =25 о C

16.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

58

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15 В Лс =60 nH ,Т vj =125 о C

30.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

64

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

15.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15 В Лс =60 nH ,Т vj =150 о C

31.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

64

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

18.2

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.160 0.268 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

150

g