Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700В 600А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичный Области применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллектор Текущий @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1069
600
|
А |
О CM |
Импульсный Коллектор Текущий t p =1ms |
1200 |
А |
P D |
Максимальный Мощность Рассеяние @ T j =175o C |
4166 |
Ш |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
V |
О F |
Диод непрерывного прямого тока |
600 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1200 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура соединения атмосфера |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 к +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 к +125 |
o C |
V ISO |
Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мин |
4000 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V СЕ (сидел )
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
О C =600А, V GE =15В, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
О C =600А, V GE =15В, T j =125o C |
|
2.25 |
|
О C =600А, V GE =15В, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C = 12.0mA ,V СЕ =V GE ,T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
О CES |
Ток коллектора отключения
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V,
T j =25o C
|
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.1 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25V,f=1 МГц ,
V GE =0В
|
|
72.3 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.75 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =- 15…+15В |
|
5.66 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 900 В, О C =600А, Пруток G = 1.0Ω, V GE =±15В, T j =25o C
|
|
160 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
67 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
527 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
138 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
154 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
132 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 900 В, О C =600А, Пруток G = 1.0Ω, V GE =±15В, T j = 125o C
|
|
168 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
80 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
585 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
168 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
236 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
189 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 900 В, О C =600А, Пруток G = 1.0Ω, V GE =±15В, T j = 150o C
|
|
192 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
80 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
624 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
198 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
259 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
195 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤10μs, V GE =15В,
T j =150o C ,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V
|
|
2400
|
|
А
|
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
|
V F
|
Диод вперед
Напряжение
|
О F =600А, V GE =0V, T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
О F =600А, V GE =0V, T j = 125o C |
|
1.90 |
|
О F =600А, V GE =0V, T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 900 В, О F =600А,
-ди /dt =6700A/μs, V GE =- 15В T j =25o C
|
|
153 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
592 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
76.5 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 900 В, О F =600А,
-ди /dt =6700A/μs, V GE =- 15В T j =125o C
|
|
275 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
673 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
150 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 900 В, О F =600А,
-ди /dt =6700A/μs, V GE =- 15В T j =150o C
|
|
299 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
690 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
173 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C = 100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
В- значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
В- значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
В- значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
Пруток CC ’+EE ’ |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
1.10 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт -к -Кейс (на IGBT )
Переходный пункт -к -Кейс (на Диод )
|
|
|
0.036
0.073
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Кейс -к -Радиатор (на IGBT )
Кейс -к -Радиатор (на Диод )
Корпус к радиатору (на модуль)
|
|
0.027
0.055
0.009
|
|
K/W
|
М |
Крутящий момент соединения терминала, Винт M6 Монтаж Крутящий момент , Винт М 5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
Н.М |
G |
ВЕС Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
