GD600HFX170C6S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллектор Текущий @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1069

600

A

Я См

Импульсный Коллектор Текущий t p =1ms

1200

A

PD

Максимальный Мощность Рассеяние @ T j =175o C

4166

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

V

Я F

Диод непрерывного прямого тока

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура соединения атмосфера

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V СЕ (сидел )

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=600А, V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C=600А, V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C=600А, V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C= 12.0mA ,V СЕ =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Ток коллектора отключения

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V,

T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.1

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=1 МГц ,

V GE =0В

72.3

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

1.75

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

5.66

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 900 В, Я C=600А, Пруток Г = 1.0Ω, V GE =±15В, T j =25o C

160

nS

t пруток

Время нарастания

67

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

527

nS

t f

Время спада

138

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

154

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

132

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 900 В, Я C=600А, Пруток Г = 1.0Ω, V GE =±15В, T j = 125o C

168

nS

t пруток

Время нарастания

80

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

585

nS

t f

Время спада

168

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

236

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

189

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 900 В, Я C=600А, Пруток Г = 1.0Ω, V GE =±15В, T j = 150o C

192

nS

t пруток

Время нарастания

80

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

624

nS

t f

Время спада

198

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

259

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

195

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =600А, V GE =0V, T j = 125o C

1.90

Я F =600А, V GE =0V, T j = 150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 900 В, Я F =600А,

—ди /dt =6700A/μs, V GE =- 15В T j =25o C

153

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

592

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

76.5

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 900 В, Я F =600А,

—ди /dt =6700A/μs, V GE =- 15В T j =125o C

275

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

673

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

150

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 900 В, Я F =600А,

—ди /dt =6700A/μs, V GE =- 15В T j =150o C

299

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

690

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

173

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из Пруток 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

В- значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2—

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

В- значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2—

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

В- значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2—

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC ’+EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

1.10

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (на IGBT )

Переходный пункт —до —Корпус (на Диод )

0.036

0.073

K/W

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (на IGBT )

Корпус —до —Радиатор (на Диод )

Корпус к радиатору (на модуль)

0.027

0.055

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M6 Установка Крутящий момент , Винт М 5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

Г

ВЕС МОДУЛЬ

350

г