Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700В 600А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовой Применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллектор Ток @ Т C =25 о C
@ Т C = 100о C
|
1069
600
|
A |
Я CM |
Импульсный Коллектор Ток т p =1 mS |
1200 |
A |
P Г |
Максимальное Мощность Рассеяние @ Т j =175 о C |
4166 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
В |
Я К |
Диод непрерывного прямого тока |
600 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1200 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура соединения атмосфера |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мин |
4000 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В СЕ (сидел )
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C =600А, В GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.85 |
2.20 |
В
|
Я C =600А, В GE =15В, Т j =125 о C |
|
2.25 |
|
Я C =600А, В GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.35 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C = 12.0mA ,В СЕ = В GE ,Т j =25 о C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Ток коллектора отключения
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.1 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25V,f=1 МГц ,
В GE =0В
|
|
72.3 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.75 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
5.66 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 900 В, Я C =600А, R G = 1.0Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
160 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
67 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
527 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
138 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
154 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
132 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 900 В, Я C =600А, R G = 1.0Ω, В GE =±15В, Т j = 125о C
|
|
168 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
80 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
585 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
168 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
236 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
189 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 900 В, Я C =600А, R G = 1.0Ω, В GE =±15В, Т j = 150о C
|
|
192 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
80 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
624 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
198 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
259 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
195 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤10μs, В GE =15В,
Т j =150 о C ,В CC = 1000V, В СМК ≤1700V
|
|
2400
|
|
A
|
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =600А, В GE =0V, Т j =25 о C |
|
1.80 |
2.25 |
В
|
Я К =600А, В GE =0V, Т j = 125о C |
|
1.90 |
|
Я К =600А, В GE =0V, Т j = 150о C |
|
1.95 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 900 В, Я К =600А,
-ди /dt =6700A/μs, В GE =- 15В Т j =25 о C
|
|
153 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
592 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
76.5 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 900 В, Я К =600А,
-ди /dt =6700A/μs, В GE =- 15В Т j =125 о C
|
|
275 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
673 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
150 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 900 В, Я К =600А,
-ди /dt =6700A/μs, В GE =- 15В Т j =150 о C
|
|
299 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
690 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
173 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из R 100 |
Т C = 100 о C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
В- значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
В- значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
В- значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
R CC + EE ’ |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
1.10 |
|
мОм |
R thJC |
Переходный пункт -до -Кейс (на IGBT )
Переходный пункт -до -Кейс (на Диод )
|
|
|
0.036
0.073
|
K/W |
|
R thCH
|
Кейс -до -Радиатор (на IGBT )
Кейс -до -Радиатор (на Диод )
Корпус к радиатору (на модуль)
|
|
0.027
0.055
0.009
|
|
K/W
|
М |
Крутящий момент соединения терминала, Винт М6 Монтаж Крутящий момент , Винт М 5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
Н.М |
G |
Вес Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
