GD2400SGX170C4S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=100o C

2400

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

4800

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

15.8

кВт

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

2400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

4800

A

Я ФСМ

Пиковый прямой ток V Пруток =0V,T p =10мс, @T j =25o C @T j =150o C

18.65 15.25

kA

Я 2t

Я 2t-значение,V Пруток =0V,T p =10м s,T j =25o CЯ 2t-значение,V Пруток =0V,T p =10ms ,t j =150o C

1739

1162

kA2с

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C= 2400A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.30

V

Я C= 2400A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C= 2400A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=96.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.6

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

285

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

7.13

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

23.5

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 2400A, Пруток Г = 0,82Ω, LС =32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =25o C

609

nS

t пруток

Время нарастания

232

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1676

nS

t f

Время спада

192

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

784

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

785

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 2400A, Пруток Г = 0,82Ω, LС =32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =125o C

732

nS

t пруток

Время нарастания

280

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

2171

nS

t f

Время спада

243

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

1350

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

1083

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 2400A, Пруток Г = 0,82Ω, LС =32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =150o C

772

nS

t пруток

Время нарастания

298

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

2294

nS

t f

Время спада

298

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

1533

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

1126

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

10.5

kA

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F = 2400A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F = 2400A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

Я F = 2400A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 2400A,

-di/dt=9570A/μс,V GE =-9В, LС =32nH ,T j =25o C

243

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1656

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

274

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 2400A,

-di/dt=7500A/μс,V GE =-9В, LС =32nH ,T j =125o C

425

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1692

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

438

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 2400A,

-di/dt=6990A/μс,V GE =-9В, LС =32nH ,T j =150o C

534

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1809

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

563

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

6.0

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.10

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

9.5 15.8

К/кВт

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

6.4 10.7 4.0

К/кВт

d Ползучесть

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

32.2 32.2

мм

d Прозрачный

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

19.1 19.1

мм

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

2060

г