Все категории

Модуль IGBT 1700В

Модуль IGBT 1700В

Главная страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1700В

GD2400SGX170C4S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

1700V 2400A, C4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD2400SGX170C4S
  • Введение
  • Основные положения
  • Схема эквивалентной цепи
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1 700V 2400A ,C4 .

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

  • Конверторы высокой мощности
  • Приводы моторов

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =100 о C

2400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

4800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

15.8

кВт

Диод

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

2400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

4800

A

Я ФСМ

Пиковый прямой ток V R =0V,T р =10мс, @T j =25 о C @T j =150 о C

18.65 15.25

кА

Я 2т

Я 2t-значение,V R =0V,T р =10м s,T j =25 о C Я 2t-значение,V R =0V,T р =10ms ,t j =150 о C

1739

1162

кА 2s

Модуль

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 2400A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.30

В

Я C = 2400A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C = 2400A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =96.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.6

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

285

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

7.13

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

23.5

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 2400A, R G = 0,82Ω, Л S =32 nH ,В GE =-9V/+15V,

Т j =25 о C

609

nS

т r

Время нарастания

232

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1676

nS

т f

Время спада

192

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

784

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

785

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 2400A, R G = 0,82Ω, Л S =32 nH ,В GE =-9V/+15V,

Т j =125 о C

732

nS

т r

Время нарастания

280

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

2171

nS

т f

Время спада

243

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

1350

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

1083

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 2400A, R G = 0,82Ω, Л S =32 nH ,В GE =-9V/+15V,

Т j =150 о C

772

nS

т r

Время нарастания

298

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

2294

nS

т f

Время спада

298

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

1533

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

1126

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

10.5

кА

Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 2400A,V GE =0V,T j = 25о C

1.80

2.25

В

Я F = 2400A,V GE =0V,T j =125 о C

1.90

Я F = 2400A,V GE =0V,T j =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 2400A,

-di/dt=9570A/μс,V GE =-9В, Л S =32 nH ,Т j =25 о C

243

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1656

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

274

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 2400A,

-di/dt=7500A/μс,V GE =-9В, Л S =32 nH ,Т j =125 о C

425

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1692

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

438

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 2400A,

-di/dt=6990A/μс,V GE =-9В, Л S =32 nH ,Т j =150 о C

534

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1809

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

563

mJ

Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

6.0

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.10

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

9.5 15.8

К/кВт

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

6.4 10.7 4.0

К/кВт

г Ползучесть

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

32.2 32.2

мм

г Прозрачный

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

19.1 19.1

мм

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

2060

g

Основные положения

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000