Высоковольтный планарный MOSFET (планарный MOSFET) — это управляемое напряжением многопереходное устройство, обладающее такими характеристиками, как высокое входное сопротивление, высокая скорость переключения, низкое потребление мощности в цепи управления, широкая безопасная рабочая область и хорошая температурная стабильность. Он широко применяется в таких областях, как импульсные источники питания, автомобильная электроника и промышленное управление.
Серия высоковольтных планарных MOSFET товары разработана и производится с использованием передовой планарной технологии и охватывает диапазон напряжений от 400 В до 800 В.
Преимущества:
Широкий применение области:
Схематическая диаграмма планарного MOSFET
Сравнение между планарным MOSFET и MOSFET с суперпереходом
Каталог MOSFET
--Планарный MOSFET
| Номер детали |
Я Г (A) 25 ℃ |
RDS(ON) (Ом) (VGs = 10 В) |
Qg (нКл) (VGs = 10 В) |
VGS (В) |
VGs(th) (В) |
Упаковка |
|
| Тип. |
Макс. |
Тип. |
Тип. |
|
Уровень напряжения ：400В
|
| LNG7N40 |
7 |
0.96 |
1.2 |
11.4 |
30 |
3 |
TO-252 |
|
|
Уровень напряжения ：450V
|
| LNG10N45 |
10 |
0.50 |
0.5 |
6 20,3 |
±30 |
3 |
TO-252 |
|
|
Уровень напряжения ：500В
|
| LNG3N50B |
2.5 |
3.1 |
3.6 |
6.3 |
±30 |
3 |
TO-252 |
| LNG3N50 |
3 |
3 |
3.6 |
7.2 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LNG5N50C |
5 |
2.05 |
2.4 |
9.5 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LND5N50 |
5 |
1.35 |
1.6 |
12.4 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNG5N50 |
5 |
1.38 |
1.6 |
13.2 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LNH5N50 |
5 |
1.35 |
1.6 |
12.4 |
30 |
3 |
TO-251 |
| LNC5N50 |
5 |
1.35 |
1.6 |
12.4 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LND9N50 |
9 |
0.66 |
0.8 |
22.6 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNG9N50 |
9 |
0.66 |
0.8 |
22.6 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LND13N50 |
14 |
0.38 |
0.46 |
37.7 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNC13N50 |
14 |
0.38 |
0.46 |
37.7 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LND16N50 |
16 |
0.26 |
0.36 |
51.9 |
±30 |
3 |
TO-220F |
| LND20N50W |
20 |
0.23 |
0.29 |
50.5 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNE20N50W |
20.7 |
0.24 |
0.29 |
55.2 |
±30 |
3 |
TO-263 |
| LND18N50 |
21 |
0.24 |
0.28 |
59.6 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNDN18N50 |
21 |
0.24 |
0.28 |
59.6 |
30 |
3 |
TO-220NF |
| LNE18N50 |
21.6 |
0.248 |
0.28 |
58.7 |
±30 |
3 |
TO-263 |
| LNA20N50W |
22 |
0.23 |
0.29 |
58.8 |
±30 |
3 |
До 3p |
| LND25N50W |
25 |
0.16 |
0.2 |
74.2 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNA25N50W |
25 |
0.16 |
0.2 |
77.8 |
±30 |
3 |
До 3p |
| LNB25N50W |
28 |
0.16 |
0.2 |
74.2 |
±30 |
3 |
До 247 |
|
|
Уровень напряжения ：650В
|
| LND2N65 |
2 |
4.2 |
5.2 |
8.6 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNC2N65 |
2 |
4.2 |
5.2 |
8.6 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LNG2N65 |
2 |
4.2 |
5.2 |
8.6 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LNH2N65 |
2 |
4.2 |
5.2 |
8.6 |
30 |
3 |
TO-251 |
| LND4N65 |
4 |
2.18 |
2.7 |
13.3 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNF4N65 |
4 |
2.18 |
2.7 |
13.3 |
30 |
3 |
TO-262 |
| LNG4N65 |
4 |
2.18 |
2.7 |
13.3 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LNH4N65 |
4 |
2.18 |
2.7 |
13.3 |
30 |
3 |
TO-251 |
| LND5N65B |
5 |
1.8 |
2.1 |
16.1 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNH5N65B |
5 |
1.8 |
2.1 |
16.1 |
30 |
3 |
TO-251 |
| LNG5N65B |
5 |
1.8 |
2.1 |
16.1 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LNC7N65D |
7 |
1.2 |
1.4 |
23.5 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LND7N65D |
7 |
1.2 |
1.4 |
23.5 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNF7N65D |
7 |
1.2 |
1.4 |
23.5 |
30 |
3 |
TO-262 |
| LNG7N65D |
7 |
1.2 |
1.4 |
23.5 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LNH7N65D |
7 |
1.2 |
1.4 |
23.5 |
30 |
3 |
TO-251 |
| LNDN7N65D |
7 |
1.1 |
1.4 |
23.5 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNC10N65 |
10 |
0.81 |
1 |
32.9 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LND10N65 |
10 |
0.81 |
1 |
32.9 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNDN10N65 |
10 |
0.81 |
1 |
32.9 |
30 |
3 |
TO-220NF |
| LNE10N65 |
10 |
0.81 |
1 |
32.9 |
30 |
3 |
TO-263 |
| LNF10N65 |
10 |
0.81 |
1 |
32.9 |
30 |
3 |
TO-262 |
| LNC12N65 |
12 |
0.64 |
0.8 |
39.6 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LND12N65 |
12 |
0.64 |
0.8 |
39.6 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNDN12N65 |
12 |
0.64 |
0.8 |
39.6 |
30 |
3 |
TO-220NF |
| LNE12N65 |
12 |
0.64 |
0.8 |
39.6 |
30 |
3 |
TO-263 |
| LNF12N65 |
12 |
0.64 |
0.8 |
39.6 |
30 |
3 |
TO-262 |
| LNC16N65 |
16 |
0.48 |
0.6 |
53.9 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LND16N65 |
16 |
0.48 |
0.6 |
48.2 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNC20N65 |
20 |
0.42 |
0.5 |
58.1 |
30 |
3 |
TO-220 |
| LND20N65 |
20 |
0.42 |
0.5 |
58.1 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNB20N65 |
20 |
0.4 |
0.5 |
58.4 |
30 |
3 |
До 247 |
|
|
Уровень напряжения ：700 В
|
| LND6N70 |
6 |
1.25 |
1.6 |
21.8 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNG6N70 |
6 |
1.28 |
1.6 |
22 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LND12N70W |
12 |
0.72 |
0.8 |
37.6 |
30 |
3 |
TO-220NF |
| LND15N70 |
15 |
0.52 |
0.6 |
50 |
30 |
3 |
TO-220F |
|
|
Уровень напряжения ：800V
|
| LND4N80 |
4 |
3.4 |
3.8 |
16.5 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LNH4N80 |
4 |
3.4 |
3.8 |
16.5 |
30 |
3 |
TO-251 |
| LNG4N80 |
4 |
3.4 |
3.8 |
16.5 |
30 |
3 |
TO-252 |
| LND8N80W |
8 |
1.58 |
1.8 |
35.5 |
30 |
3 |
TO-220F |
| LND10N80 |
10 |
0.68 |
0.9 |
61.6 |
30 |
3.07 |
TO-220F |
О нас
Мы специализируемся на применении продуктов IGBT. На основе применения IGBT мы расширили нашу продуктовую линейку до индивидуальной разработки высококачественных силовых модулей. В то же время наш бизнес вышел на рынок изделий для систем автоматического управления, включая АЦП/ЦАП, LDO, измерительные усилители, электромагнитные реле, PhotoMOS и MOSFET. Таким образом, мы можем сотрудничать с ведущими китайскими производителями в наших областях экспертизы, предоставляя клиентам надежные и экономически эффективные продукты.
Основанные на принципах инноваций и совершенства, мы находимся в авангарде альтернативных решений и технологий в области полупроводников.
Наше видение заключается в том, чтобы предоставлять альтернативные решения для наших клиентов, повышать соотношение стоимости и производительности их решений для применения и обеспечивать безопасность их цепочек поставок за счёт производства в Китае.
Наши пользователи
EN
