Модули тиристоров с быстрым выключением

MK(H)x150 MK150, Быстродействующие тиристорные модули с воздушным охлаждением

150A,600V~1800V,413F3D

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MK(H) x150 MK150

Appurtenance:

Брошюра продукта:СКАЧАТЬ

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Модули тиристоров с быстрым выключением ,MK ((H) x200 МК200, 200А, Охлаждение воздухом ,произведенный TECHSEM.

VRRM,VDRM	Тип и контур
600V	MKx150-06-413F3D	MHx150-06-413F3D
800V	MKx150-08-413F3D	MHx150-08-413F3D
1000В	MKx150-10-413F3D	MHx150-10-413F3D
1200В	MKx150-12-413F3D	MHx150-12-413F3D
1400V	MKx150-14-413F3D	MHx150-14-413F3D
1600V	MKx150-16-413F3D	MHx150-16-413F3D
1800V	MKx150-18-413F3D	MHx150-18-413F3D
1800V	MK150-18-413F3DG

MKx означает любой тип МКК, МКА, МКК

MHx - это обозначение любого типа МГК, МГА, MHK

Особенности ：

Изолированная установка баз 2500 В ~
Технология контактного давления с Увеличенное способность к силовому циклизму
Пространство и вес взрыв

Типичные применения ：

Инвертор
Индуктивное нагревание
Измельчитель

Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( ℃ )	Значение			Единица
Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( ℃ )	Мин	ТИП	Макс	Единица
IT(AV)	Средний ток в проводимом состоянии	180° полусинусоидальная волна 50Гц Охлаждение с одной стороны,Tc=85 ℃	125			150	A
IT(RMS)	Эффективный ток в состоянии включения		125			236	A
Idrm Irrm	Повторяющийся пиковый ток	при VDRM при VRRM	125			50	mA
ITSM	Импульсный ток в проводимом состоянии	10ms полуволна синусоиды VR=60%VRRM	125			3.4	кА
I2t	I2t для координации плавления	10ms полуволна синусоиды VR=60%VRRM	125			58	10³A ²s
VTO	Напряжение порога		125			1.78	В
пТ	Сопротивление наклона в проводимом состоянии		125			0.70	м
VTM	Пиковое напряжение в проводимом состоянии	ITM=450A	25			2.65	В
dv/dt	Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения	Источник затвора 1.5A tr ≤0.5μs Повторяющийся	125			200	A/μs
tq	Время выключения с коммутацией цепи	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
tq	Время выключения с коммутацией цепи	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Ток срабатывания затвора	VA= 12V, IA= 1A	25	30		180	mA
Vgt	Напряжение срабатывания затвора			0.8		2.5	В
IH	Ток удержания			20		200	mA
ИЛ	Ток захвата					1000	mA
VGD	Напряжение затвора без срабатывания	VDM= 67%VDRM	125			0.2	В
Rth(j-c)	Тепловое сопротивление от узла к корпусу	Одностороннее охлаждение на чип				0.130	℃ /W
Rth(c-h)	Тепловое сопротивление корпуса к радиатору	Одностороннее охлаждение на чип				0.030	℃ /W
Визо	Изоляционное напряжение	50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)		2500			В
ЧМ	Крутящий момент соединения терминала (M8)			10.0		12.0	Н·м
ЧМ	Крутящий момент монтажа (M6)			4.5		6.0	Н·м
Телевидение	Температура соединения			-40		125	℃
ТСТГ	Хранимая температура			-40		125	℃
Вт	Вес				770		g
Основные положения	413F3D