GD200FFY120C6SF, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

400

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C

1056

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

400

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=200A,В GE =15В, T j =25o C

1.90

2.35

V

Я C=200A,В GE =15В, T j = 125o C

2.40

Я C=200A,В GE =15В, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=5.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

100

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.75

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

20.7

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

1.55

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г =0.75Ω,V GE =±15В, T j =25o C

374

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

326

nS

t f

Время спада

204

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

13.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

10.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г =0.75Ω,V GE =±15В, T j = 125o C

419

nS

t пруток

Время нарастания

63

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

383

nS

t f

Время спада

218

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

20.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.9

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г =0.75Ω,V GE =±15В, T j = 150o C

419

nS

t пруток

Время нарастания

65

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

388

nS

t f

Время спада

222

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

22.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.9

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

Я F =200A,В GE =0V,T j = 125o C

1.90

Я F =200A,В GE =0V,T j = 150o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

10.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

90

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

3.40

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В T j = 125o C

26.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

132

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

9.75

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В T j = 150o C

30.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

11.3

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.25

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.142

0.202

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.034

0.048

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г