Модули тиристоров с быстрым выключением

MK(H)x75 MK75, Быстродействующие тиристорные модули с воздушным охлаждением

750A,600V~1800V, 216F3B

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MK(H) x75 MK75

Appurtenance:

Брошюра продукта:СКАЧАТЬ

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Модули тиристоров с быстрым выключением ,MK ((H) x200 МК200, 200А, Охлаждение воздухом ,произведенный TECHSEM.

VRRM,VDRM	Тип и контур
600V	MKx75-06-216F3B	MHx75-06-216F3B
800V	MKx75-08-216F3B	MHx75-08-216F3B
1000В	MKx75-10-216F3B	MHx75-10-216F3B
1200В	MKx75-12-216F3B	MHx75-12-216F3B
1400V	MKx75-14-216F3B	MHx75-14-216F3B
1600V	MKx75-16-216F3B	MHx75-16-216F3B
1800V	MKx75-18-216F3B	MHx75-18-216F3B
1800V	MK75-18-216F3BG

MKx означает любой тип МКК, МКА, МКК

Особенности ：

Изолированная установка баз 2500 В ~
Технология контактного давления с Увеличенное способность к силовому циклизму
Пространство и вес взрыв

Типичные применения ：

Инвертор
Индуктивное нагревание
Измельчитель

Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( 。C)	Значение			Единица
Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( 。C)	Мин	ТИП	Макс	Единица
IT(AV)	Средний ток в проводимом состоянии	180。полусинусоидальная волна 50Гц Охлаждение с одной стороны,Tc=85 。C	125			75	A
IT(RMS)	Эффективный ток в состоянии включения		125			118	A
Idrm Irrm	Повторяющийся пиковый ток	при VDRM при VRRM	125			30	mA
Я _TSM	Импульсный ток в проводимом состоянии	10ms полуволна синусоиды VR=60%VRRM	125			1.6	кА
Я ²т	I2t для координации плавления	10ms полуволна синусоиды VR=60%VRRM	125			13	10³A ²s
В _До	Напряжение порога		125			1.50	В
пТ	Сопротивление наклона в проводимом состоянии		125			4.00	мОм
В _TM	Пиковое напряжение в проводимом состоянии	ITM=225A	25			2.53	В
dv/dt	Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения	Источник затвора 1.5A tr ≤0.5μs Повторяющийся	125			200	A/μs
tq	Время выключения с коммутацией цепи	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
tq	Время выключения с коммутацией цепи	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
Я _GT	Ток срабатывания затвора	VA= 12V, IA= 1A	25	30		150	mA
В _GT	Напряжение срабатывания затвора			0.8		2.5	В
Я _H	Ток удержания			20		200	mA
ИЛ	Ток захвата					1000	mA
В _GD	Напряжение затвора без срабатывания	VDM= 67%VDRM	125			0.2	В
Rth(j-c)	Тепловое сопротивление от узла к корпусу	Одностороннее охлаждение на чип				0.20	℃ /W
Rth(c-h)	Тепловое сопротивление корпуса к радиатору	Одностороннее охлаждение на чип				0.04	℃ /W
Визо	Изоляционное напряжение	50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)		2500			В
ЧМ	Крутящий момент подключения терминала (M6)			4.5		6.0	Н·м
ЧМ	Крутящий момент монтажа (M6)			4.5		6.0	Н·м
Телевидение	Температура соединения			-40		125	℃
ТСТГ	Хранимая температура			-40		125	℃
Вт	Вес				320		g
Основные положения	216F3B