GD1200SGX170A3S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

2206

1200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

2400

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

8.77

КВт

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

2400

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =1200A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =1200A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =1200A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =48.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

145

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

3.51

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

11.3

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

В GE =-9/+15V,

Л С =65 nH ,Т j =25 о C

440

nS

т r

Время нарастания

112

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1200

nS

т к

Время спада

317

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

271

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

295

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

В GE =-9/+15V,

Л С =65 nH ,Т j =125 о C

542

nS

т r

Время нарастания

153

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1657

nS

т к

Время спада

385

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

513

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

347

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

В GE =-9/+15V,

Л С =65 nH ,Т j =150 о C

547

nS

т r

Время нарастания

165

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1695

nS

т к

Время спада

407

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

573

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

389

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

4800

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

В

Я К =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

Я К =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I К =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9В, Л С =65нГн,Т j =25℃

190

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

844

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

192

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I К =1200A,

-di/dt=7050А/мкс,V GE =-9В, Л С =65нГн,Т j =125℃

327

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1094

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

263

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I К =1200A,

-di/dt=6330А/мкс,V GE =-9В, Л С =65нГн,Т j =150℃

368

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1111

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

275

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.19

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

17.1 26.2

К/кВт

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

9.9 15.2 6.0

К/кВт

М

Терминал питания Винт:M4 Терминал питания Винт:M8 Монографный винт:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

1050

g