Сверхъединичный MOSFET

Сверхъединичный MOSFET (металлооксидный полевой транзистор с изолированным затвором) вводит боковой контроль электрического поля на основе традиционного VDMOS, благодаря чему распределение вертикального электрического поля приближается к идеальному прямоугольному. Эта структура повышает пробивное напряжение устройства примерно на 20 % при сохранении того же значения сопротивления эпитаксиального слоя. Для товары при одинаковых характеристиках пробивного напряжения удельное площадное сопротивление в открытом состоянии для технологии сверхъединичного MOSFET может быть снижено до менее чем 1/8 по сравнению со значением для традиционной структуры, что обеспечивает синергетическую оптимизацию характеристик в открытом и закрытом состояниях.
Наша серия MOSFET-транзисторов с суперпереходом изготавливается с использованием технологии глубоких траншей и многослойных эпитаксиальных процессов и отличается низким сопротивлением в открытом состоянии и малым зарядом затвора. Это значительно снижает потери в открытом и закрытом состояниях, делая серию особенно подходящей для систем силовой электронной конверсии с высокой плотностью мощности и высокой эффективностью.

Обзор применения MOSFET-транзисторов с суперпереходом в бортовых зарядных устройствах (OBC)

Обзор применения MOSFET-транзисторов с суперпереходом в бортовых зарядных устройствах (OBC)
Идеальными местами зарядки электромобилей и гибридных автомобилей являются не только специализированные зарядные станции. Зарядка возможна практически в любом месте, где имеется доступ к электросети. Бортовое зарядное устройство (OBC) — это устройство, преобразующее переменный ток в требуемый постоянный ток для зарядки аккумулятора автомобиля. Оно позволяет заряжать автомобиль дома главная или на рабочем месте. Его мощность определяет скорость и эффективность зарядки и напрямую влияет на пользовательский опыт.