YMIBD500-33,IGBT-module,Dubbele schakelaar IGBT,CRRC

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(waarde)

(Eenheid)

VCES

Spanning van de collectieverzender

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V

I C

Stroom van de collectieverzender naar de zender

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

Een

I C(PK)

Piekstroom van de collector

1ms, T case = 140 °C

1000

Een

P max

Max. vermogensafvoer van de transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

I 2t

Diode I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Isolatiespanning – per module

Gemeenschappelijke terminals naar basisplaat),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

V

Q PD

Deelontlading – per module

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pC

T geval = 25 ° C T geval = 25° C tenzij vermeld anders

(Symbool )

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(Min. )

(Typ )

(Maximaal )

(Eenheid )

I CES

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T geval =125 °C

30

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T geval =150 °C

50

mA

I GES

Gate-lekkage stroom

V GE = ±20V, V CE = 0V

1

μA

V GE (TH)

De grensspanning van de poort

I C = 40 mA , V GE = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (sat )(*1)

Verzadiging van de collectie-emitter spanning

V GE =15V, I C = 500A

2.40

2.90

V

V GE =15V, I C = 500A, T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V GE =15V, I C = 500A, T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

I F

Diode-voorkrants

DC

500

Een

I FRM

Diode maximale voorwaartse stroom

t P = 1ms

1000

Een

V F (*1)

Diode-spanning naar voren

I F = 500A

2.10

2.60

V

I F = 500A, T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

I F = 500A, T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C ies

Ingangs capaciteit

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

90

nF

Q g

Gate-lading

±15V

9

μC

C res

Omgekeerde overdracht capa citantie

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

2

nF

L M

Module inductantie

25

nH

R INT

Interne transistor weerstand

310

μΩ

I SC

Kortsluiting stroom, I SC

T vj = 150°C, V CC = 2500V, V GE ≤ 15 V, t p ≤ 10μs,

V CE (maximaal ) = V CES – L (*2) × di /dt ,IEC 6074-9

1800

Een

td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

n

t f

Ouderdom

520

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

780

mJ

td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

650

n

- Het is...

Opstijgtijd

260

n

EON

Inschakel energieverlies

730

mJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

420

Een

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

480

mJ

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(Min)

(Typ)

(Max)

(Eenheid)

td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

n

t f

Ouderdom

550

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

900

mJ

td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

630

n

- Het is...

stijgingstijd Opstijgtijd

280

n

EON

Inschakel energieverlies

880

mJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

460

Een

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

760

mJ

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(Min)

(Typ)

(Max)

(Eenheid)

td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

n

t f

Ouderdom

560

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

1020

mJ

td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

620

n

- Het is...

Opstijgtijd

280

n

EON

Inschakel energieverlies

930

mJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

490

Een

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

900

mJ