Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

GD900SGX120C2SA_B20,IGBT Module,STARPOWER

1200V 900A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD900SGX120C2SA_B20
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 900A.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen T C=25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1410

900

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1800

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T =175o C

5000

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

900

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1800

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

2.10

IC=900A,V GE =15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

0.6

ω

QG

Gate-lading

V GE =- 15V…+15V

7.40

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=900A,

R Gaat u goed? = 1.5Ω,R Goff. =0.9Ω, V GE =±15V,T j =25o C

257

n

t r

Opstijgtijd

96

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

628

n

t f

Ouderdom

103

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

43

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

82

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=900A,

R Gaat u goed? = 1.5Ω,R Goff. =0.9Ω,

V GE =±15V,T j = 125o C

268

n

t r

Opstijgtijd

107

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

659

n

t f

Ouderdom

144

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

59

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

118

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=900A,

R Gaat u goed? = 1.5Ω,R Goff. =0.9Ω,

V GE =±15V,T j = 150o C

278

n

t r

Opstijgtijd

118

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

680

n

t f

Ouderdom

155

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

64

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

134

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

IF =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

IF =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

76

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

513

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

38.0

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

143

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

684

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

71.3

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

171

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

713

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

80.8

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.18

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.030

0.052

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.016

0.027

0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g

Overzicht

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000