Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1700V

IGBT-module 1700V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1700V

GD1200SGX170A3S, 1700 V 1200 A, IGBT-module,

Hoogstroom-IGBT-module, STARPOWER, A3

Brand:
Stardragers
Spu:
GD1200SGX170A3S
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1 700V 1200A,A3 .

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • AlSiC-basisplaat voor hoogvermogenscyclusvermogen
  • AlN substraat voor lage thermische weerstand cE

Typische toepassingen

  • AC-inverteraandrijvingen
  • Schakelmodus voedingen
  • Elektronische lassers

Absoluut Maximum Beoordelingen T C=25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

2400

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

8.77

KW

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1700

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

1200

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

2400

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=1200A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.0

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

145

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

3.51

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

440

n

t r

Opstijgtijd

112

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1200

n

t f

Ouderdom

317

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

271

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

295

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

542

n

t r

Opstijgtijd

153

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1657

n

t f

Ouderdom

385

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

513

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

347

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

547

n

t r

Opstijgtijd

165

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1695

n

t f

Ouderdom

407

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

573

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

389

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

4800

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

IF =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =25℃

190

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

844

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

192

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =125℃

327

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

1094

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

263

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =150℃

368

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

1111

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

275

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

12

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.19

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Geval -naar -Verwarmingssink (perIGBT )De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Vermogensterminal Schroef:M4 Vermogensterminal Schroef:M8 Montage schroef:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.m

G

Gewicht van Module

1050

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000