GD750HFA120C6S,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =100 o C

750

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1500

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T vj = 175 o C

3125

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

900

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1500

Een

I FSM

Surge Vooruitstroom t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C

3104

2472

Een

I 2t

I 2t- waarde ,t p =10 mS @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C

48174

30554

Een 2s

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =750A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.35

1.85

V

I C =750A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.55

I C =750A,V GE =15V, T vj = 175 o C

1.55

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

0.5

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.45

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =25 o C

238

n

t r

Opstijgtijd

76

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

622

n

t f

Ouderdom

74

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

68.0

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

52.8

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =125 o C

266

n

t r

Opstijgtijd

89

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

685

n

t f

Ouderdom

139

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

88.9

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

67.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj = 175 o C

280

n

t r

Opstijgtijd

95

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

715

n

t f

Ouderdom

166

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

102

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

72.7

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

Een

t P ≤ 6 μs, V GE =15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =750A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.60

2.05

V

I F =750A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.65

I F =750A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =750A,

- di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

79.7

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

369

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

23.3

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =125 o C

120

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

400

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

39.5

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj = 175 o C

151

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

423

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

49.7

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.80

mΩ

R thJC

Junctie -tot -Geval (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.048 0.088

K/W

R thCH

Geval -tot -Verwarmingssink (perIGBT )De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

g