GD275MJS120L6S,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

ICN

Uitgevoerde Collector C stroom

275

A

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=100o C

110

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

450

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IFN

Uitgevoerd Voorwaartse Stroom ent

275

A

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

300

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

450

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IFN

Uitgevoerd Voorwaartse Stroom ent

275

A

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

225

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

450

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IFN

Uitgevoerd Voorwaartse Stroom ent

275

A

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

300

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

450

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

3200

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=225A,V GE =15V, T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.70

IC=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.90

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=9.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.7

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

38.1

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.66

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C

154

n

t r

Opstijgtijd

45

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

340

n

t f

Ouderdom

76

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

13.4

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

8.08

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C

160

n

t r

Opstijgtijd

49

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

388

n

t f

Ouderdom

112

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

17.6

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

11.2

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C

163

n

t r

Opstijgtijd

51

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

397

n

t f

Ouderdom

114

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

18.7

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

12.0

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

V r

Hersteld Opladen

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

250

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

6.84

mJ

V r

Hersteld Opladen

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

277

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

11.5

mJ

V r

Hersteld Opladen

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

288

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

14.0

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

V r

Hersteld Opladen

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

189

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

5.62

mJ

V r

Hersteld Opladen

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

250

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

11.4

mJ

V r

Hersteld Opladen

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

265

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

13.2

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C=100o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Vermogen dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2-1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2-1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

15

nH

R thJC

Verbinding Junction-naar-Case (per T1 -T4 IGBT) Verbinding Junction-naar-Case (per D1/D4 D iodum) Verbinding Junction-naar-Case (per D2/D3 D iodum) Verbinding Junction-naar-Case (per D5/D6 D iodum)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Case-naar-Koeling (per T 1-T4 IGBT) Case-naar-Koeling (per D1/D4 Diode) Case-naar-Koeling (per D2/D3 Diode) Case-naar-Koeling (per D5/D6 Diode)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Montage-koppel Schroef:M5

3.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

250

g