Korte introductie
IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers .1200V 225A. Ik ben een
Kenmerken
- Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
- 10 μs kortsluiting
- VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
-
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
- Geval met lage inductance
- Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
- Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie
Typische toepassingen
- Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
- Met een vermogen van niet meer dan 50 W
- Ononderbroken voeding
Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25o C tenzij anders opgemerkt
IGBT
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarde |
Eenheid |
V CES |
Spanning van de collectieverzender |
1200 |
V |
V GES |
Spanning van de poort-emitter |
±20 |
V |
IC |
Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C |
368
225
|
A |
ICm |
Pulsed Collectorstroom t p =1 ms |
450 |
A |
PD |
Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C |
1229 |
W |
Diode
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarde |
Eenheid |
V RRM |
Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd |
1200 |
V |
IF |
Diode Continuous Forward Cu rrent |
225 |
A |
IFm |
Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms |
450 |
A |
Module
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarde |
Eenheid |
T jmax |
Maximale temperatuur van de knooppunt |
175 |
o C |
T - Jaap. |
Werktemperatuur van de knooppunt |
-40 tot +150 |
o C |
T STG |
Opslagtemperatuurbereik |
-40 tot +125 |
o C |
V Iso |
Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
|
V CE (sat)
|
Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging
|
IC=225A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=225A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=225A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning |
IC=5.63mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Doorlaat van de poort-emitter Stroom |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interne poortweerstand aas |
|
|
1.7 |
|
ω |
Cies |
Ingangs capaciteit |
V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
23.3 |
|
nF |
Cres |
Omgekeerde overdracht Vermogen |
|
0.65 |
|
nF |
V G |
Gate-lading |
V GE =-15 ...+15V |
|
1.75 |
|
μC |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=225A, R G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
171 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
43 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
391 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
72 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
7.3 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
17.5 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=225A, R G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C
|
|
182 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
43 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
484 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
93 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
13.4 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
27.3 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=225A, R G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C
|
|
193 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
43 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
515 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
103 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
16.1 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
30.4 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC-gegevens
|
t P≤ 10 μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
900
|
|
A
|
Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
|
V F
|
Diode naar voren Spanning |
IF =225A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
IF =225A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
IF =225A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
V r |
Teruggevorderde heffing |
V CC = 600V,I F =225A,
-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =25o C
|
|
25.9 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
345 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
11.8 |
|
mJ |
V r |
Teruggevorderde heffing |
V CC = 600V,I F =225A,
-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =125o C
|
|
49.5 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
368 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
21.6 |
|
mJ |
V r |
Teruggevorderde heffing |
V CC = 600V,I F =225A,
-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =150o C
|
|
56.4 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
391 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
24.5 |
|
mJ |
NTC Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
R 25 |
Nominale weerstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Afwijking van R 100 |
T C=100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
VOEDING
Dissipatie
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
LCE |
Inductie van de afwijking |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Module Loodweerstand, Terminal naar chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum) |
|
|
0.122 0.188 |
K/W |
|
R thCH
|
Geval -naar -Verwarmingssink (perIGBT ) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen moeten worden gebruikt. De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module) |
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
M |
Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.m |
G |
Gewicht van Module |
|
350 |
|
g |
EN
