IGBT-module, GD1000HTA75P6HT Starpower

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

750

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I CN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

1000

Een

I C

Verzamelaarsstroom @ T F =125 o C

450

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

2000

Een

P D

Maximale vermogensafvoer atie @ T F = 75 o C T vj = 175 o C

1282

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

750

V

I FN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

1000

Een

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

450

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

2000

Een

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werkpunttemperatuur continu

Tijdens 10 seconden binnen een periode van 30s, voorkomen maximaal 3000 keer over de levensduur

-40 tot +150 +150 tot +175

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.

2500

V

d - Wat een rotzooi.

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

9.0 9.0

mm

d Helder

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

4.5 4.5

mm

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C = 450 A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.10

1.35

V

I C = 450 A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.10

I C = 450 A,V GE =15V, T vj = 175 o C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj = 175 o C

1.60

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.2

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C oes

Uitgangscondensator

1.50

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.35

nF

Q G

Gate-lading

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 450A,

R Gaat u goed? = 1,2Ω, R Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 o C

244

n

t r

Opstijgtijd

61

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

557

n

t f

Ouderdom

133

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

11.0

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

22.8

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 450A,

R Gaat u goed? = 1,2Ω, R Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 o C

260

n

t r

Opstijgtijd

68

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

636

n

t f

Ouderdom

226

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

16.9

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

32.2

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 450A,

R Gaat u goed? = 1,2Ω, R Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 175 o C

264

n

t r

Opstijgtijd

70

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

673

n

t f

Ouderdom

239

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

19.2

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

33.6

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 6 μs, V GE =15V,

T vj =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

Een

t P ≤3μs, V GE =15V,

T vj = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F = 450 A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.40

1.65

V

I F = 450 A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.35

I F = 450 A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.30

I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.80

I F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.80

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T vj =25 o C

18.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

303

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

3.72

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T vj =150 o C

36.1

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

376

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

8.09

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T vj = 175 o C

40.1

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

383

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

9.01

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

8

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.75

mΩ

p

Maximale druk in koelcircuit - De koek

T basisker < 40 o C

T basisker 40o C

(relatieve druk)

2.5 2.0

bar

R de JF

Junctie -tot -Koeling Water (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Gewicht van Module

750

g