Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

GD200HFX120C2S,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD200HFX120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale aansluittemperatuur 175
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen T C=25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C

@ T C=90o C

297

200

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

400

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

937

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

200

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

400

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

1.0

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.6

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.52

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

1.40

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

120

n

t r

Opstijgtijd

26

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

313

n

t f

Ouderdom

88

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

8.96

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

10.7

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

129

n

t r

Opstijgtijd

30

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

391

n

t f

Ouderdom

157

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

15.8

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

16.1

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

129

n

t r

Opstijgtijd

34

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

411

n

t f

Ouderdom

175

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

17.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

18.1

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

720

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

18.5

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

239

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

8.08

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

33.1

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

250

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

14.5

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

38.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

259

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

15.9

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

15

nH

R CC+EE

Module leidingweerstand nce, terminal naar chip

0.25

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.160

0.206

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000