Alle Categorieën
VRAGEN OM EEN OFFERTE

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT Module 1200V

GD200HFU120C8S,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD200HFU120C8S
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

  • NPT IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • Lage schakellosses
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Schakelmodus voeding
  • Inductieve verwarming
  • Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C

@ T C =65 o C

262

200

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

400

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j =150 o C

1315

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

I F

Diode continue voorwaartscur huur

200

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

400

Een

Module

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +125

o C

T STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.

2500

V

IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

3.00

3.45

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

3.80

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.4

5.3

6.0

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

1.3

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

13.0

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.85

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

2.10

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

87

n

t r

Opstijgtijd

40

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

451

n

t f

Ouderdom

63

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

6.8

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

11.9

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

88

n

t r

Opstijgtijd

44

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

483

n

t f

Ouderdom

78

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

11.4

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

13.5

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1300

Een

Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

I F =200A,V GE =0V,T j =125 o C

2.00

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C

13.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

236

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

6.6

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =125 o C

23.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

269

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

10.5

mJ

Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.095

0.202

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.135

0.288

0.046

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

200

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

GERELATEERD PRODUCT

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

VRAGEN OM EEN OFFERTE

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000