GD150HFU120C8SD, IGBT-module, STARPOWER

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 150A. Ik ben een

Kenmerken

Typische toepassingen

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C = 85 o C	238 150	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t p =1 ms	300	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T vj =150 o C	1237	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	150	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms	300	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
T vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	150	o C
T vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +125	o C
T STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	o C
V Iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =150A,V GE =15V, T vj =25 o C		2.90	3.35	V
V CE (sat)		I C =150A,V GE =15V, T vj =125 o C		3.60		V
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C	5.0	6.1	7.0	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter Stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Interne poortweerstand aas			1.50		ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		19.2		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		0.60		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15…+15V		1.83		μC
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25 o C		183		n
t r	Opstijgtijd			73.8		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			438		n
t f	Ouderdom			33.0		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			12.8		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			5.31		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125 o C		185		n
t r	Opstijgtijd			74		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			476		n
t f	Ouderdom			44.5		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			15.5		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			7.74		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj =125 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		975		A

Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =150A,V GE =0V,T vj = 2 5o C		1.85	2.30	V
V F	Diode naar voren Spanning	I F =150A,V GE =0V,T vj =125 o C		1.90		V
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V GE = 15 V, T vj =25 o C		11.9		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			113		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			4.02		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V GE = 15 V, T vj =125 o C		22.5		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			139		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			8.58		mJ

Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
R thJC	Junctie -om -Casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.101 0.257	K/W
R thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.028 0.071 0.010		K/W
M	Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		g