GD150HFU120C2SD,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C@ T C=85o C

241

150

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

300

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T vj =150o C

1262

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

150

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

300

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +125

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

1.50

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.60

nF

QG

Gate-lading

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=150A, R G=6,8Ω,Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =25o C

74

n

t r

Opstijgtijd

92

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

401

n

t f

Ouderdom

31

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

19.0

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

3.09

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=150A, R G=6,8Ω, Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =125o C

61

n

t r

Opstijgtijd

95

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

444

n

t f

Ouderdom

47

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

22.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

3.99

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE = 15 V, LS =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

91

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

4.01

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE = 15 V, LS =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

111

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

6.65

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

30

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.35

mΩ

R thJC

Junctie -tot -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.099 0.259

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g