Kort inleiding 
IGBT-module ,geproduceerd door   Stardragers . 1200V 100A. Ik ben een 
Kenmerken 
- Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie 
- 10 μs kortsluiting 
- VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt 
- 
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃ 
- Geval met lage inductance 
- Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD 
- Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie 
Typische toepassingen 
- Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W 
- Met een vermogen van niet meer dan 50 W 
- Ononderbroken voeding 
 
Absoluut  Maximum  Beoordelingen  T   F =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt  
IGBT-omvormer 
| Symbool  | Beschrijving  | Waarde    | Eenheid  | 
| V CES  | Spanning van de collectieverzender  | 1200 | V  | 
| V GES  | Spanning van de poort-emitter  | ±20  | V  | 
| I   C  | Verzamelaarsstroom @ T   C =25 o C @ T   C =100 o C  | 155 100 | Een  | 
| I   CM  | Pulsed Collectorstroom t   p =1 ms  | 200 | Een  | 
| P D    | Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C  | 511 | W  | 
DIODE-omvormer 
 
| Symbool  | Beschrijving  | Waarde    | Eenheid  | 
| V RRM  | Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd  | 1200 | V  | 
| I   F  | Diode Continuous Forward Cu rrent  | 100 | Een  | 
| I   Fm  | Diode Maximale Voorwaartse Stroom t   p =1 ms  | 200 | Een  | 
Diode-rectifier 
 
| Symbool  | Beschrijving  | Waarde    | Eenheid  | 
| V RRM  | Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd  | 1600 | V  | 
| I   O  | Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde  | 100 | Een  | 
| I   FSM  | Surge Vooruitstroom t   p =10ms @ T   j = 25o C    @ T j =150 o C  | 1150 880 | Een  | 
| I   2t    | I   2t-waarde,t p =10ms @ T   j =25 o C   @ T j =150 o C  | 6600 3850 | Een 2s  | 
IGBT-rem 
 
| Symbool  | Beschrijving  | Waarde    | Eenheid  | 
| V CES  | Spanning van de collectieverzender  | 1200 | V  | 
| V GES  | Spanning van de poort-emitter  | ±20  | V  | 
| I   C  | Verzamelaarsstroom @ T   C =25 o C @ T   C =100 o C  | 87 50 | Een  | 
| I   CM  | Pulsed Collectorstroom t   p =1 ms  | 100 | Een  | 
| P D    | Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C  | 308 | W  | 
Diode -rem 
 
| Symbool  | Beschrijving  | Waarde    | Eenheid  | 
| V RRM  | Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd  | 1200 | V  | 
| I   F  | Diode Continuous Forward Cu rrent  | 25 | Een  | 
| I   Fm  | Diode Maximale Voorwaartse Stroom t   p =1 ms  | 50 | Een  | 
Module 
 
| Symbool  | Beschrijving  | Waarde    | Eenheid  | 
| T   jmax  | Maximale Junctiontemperatuur (inverter, rem)  Maximale junctiontemperatuur (rectifier)  | 175 150 | o C  | 
| T   - Jaap.  | Werktemperatuur van de knooppunt  | -40 tot +150  | o C  | 
| T   STG  | Opslagtemperatuurbereik  | -40 tot +125  | o C  | 
| V Iso    | Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t   =1min  | 2500 | V  | 
IGBT -inverter  Kenmerken  T   C =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt 
 
| Symbool  | Parameter | Testomstandigheden  | Min.  | - Een type.  | Max.  | Eenheid  | 
|     V CE (sat)  |     Verzamelaar naar uitgevende instelling  Voltage van de verzadiging  | I   C =100A,V GE =15V,  T   j =25 o C  |   | 1.70 | 2.15 |     V  | 
| I   C =100A,V GE =15V,  T   j =125 o C  |   | 1.95 |   | 
| I   C =100A,V GE =15V,  T   j =150 o C  |   | 2.00 |   | 
| V GE (th ) | De grenswaarde voor de poort-emitter  Spanning    | I   C =4.00 mA ,V CE   = V GE , T   j =25 o C  | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V  | 
| I   CES  | Verzamelaar  Snijden -Afgeschakeld Stroom  | V CE   = V CES ,V GE =0V,  T   j =25 o C  |   |   | 1.0 | mA  | 
| I   GES  | Doorlaat van de poort-emitter  Stroom  | V GE = V GES ,V CE   =0V, T   j =25 o C  |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | Interne poortweerstand aas  |   |   | 7.5 |   | ω  | 
| C ies  | Ingangs capaciteit  | V CE   =25V, f=1MHz,  V GE =0V  |   | 10.4 |   | nF  | 
| C res  | Omgekeerde overdracht  Vermogen  |   | 0.29 |   | nF  | 
| Q G  | Gate-lading  | V GE =-15  ...+15V  |   | 0.78 |   | μC  | 
| t   d   (aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand  |     V CC = 600V,I C =100A,   R G =1.6Ω,V GE =±15V,  T   j =25 o C  |   | 218 |   | n  | 
| t   r  | Opstijgtijd  |   | 35 |   | n  | 
| t   d(uit)  | Afsluiting  Vertragingstijd  |   | 287 |   | n  | 
| t   f  | Ouderdom  |   | 212 |   | n  | 
| E aan  | Aanzetten  Schakelen  Verlies  |   | 9.23 |   | mJ  | 
| E afgeschakeld  | Afschakeling  Verlies  |   | 6.85 |   | mJ  | 
| t   d   (aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand  |     V CC = 600V,I C =100A,   R G =1.6Ω,V GE =±15V,  T   j =125 o C  |   | 242 |   | n  | 
| t   r  | Opstijgtijd  |   | 41 |   | n  | 
| t   d(uit)  | Afsluiting  Vertragingstijd  |   | 352 |   | n  | 
| t   f  | Ouderdom  |   | 323 |   | n  | 
| E aan  | Aanzetten  Schakelen  Verlies  |   | 13.6 |   | mJ  | 
| E afgeschakeld  | Afschakeling  Verlies  |   | 9.95 |   | mJ  | 
| t   d   (aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand  |     V CC = 600V,I C =100A,   R G =1.6Ω,V GE =±15V,  T   j =150 o C  |   | 248 |   | n  | 
| t   r  | Opstijgtijd  |   | 43 |   | n  | 
| t   d(uit)  | Afsluiting  Vertragingstijd  |   | 365 |   | n  | 
| t   f  | Ouderdom  |   | 333 |   | n  | 
| E aan  | Aanzetten  Schakelen  Verlies  |   | 14.9 |   | mJ  | 
| E afgeschakeld  | Afschakeling  Verlies  |   | 10.5 |   | mJ  | 
|   I   SC  |   SC-gegevens  | t   P ≤ 10 μs, V GE =15V,  T   j =150 o C,V CC = 900V,  V CEM ≤ 1200V  |   |   400 |   |   Een  | 
Diode -inverter  Kenmerken  T   C =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt 
 
| Symbool  | Parameter | Testomstandigheden  | Min.  | - Een type.  | Max.  | Eenheid  | 
|   V F  | Diode naar voren  Spanning    | I   F =100A,V GE =0V,T j =25 o C  |   | 1.85 | 2.30 |   V  | 
| I   F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C  |   | 1.90 |   | 
| I   F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C  |   | 1.95 |   | 
| Q r  | Teruggevorderde heffing  |   V R = 600V,I F =100A,  -di/dt=2500A/μs,V GE =-15V  T   j =25 o C  |   | 5.89 |   | μC  | 
| I   RM  | Piek omgekeerd  Terugwinningstroom  |   | 103 |   | Een  | 
| E rec  | Omgekeerd herstel  Energie  |   | 3.85 |   | mJ  | 
| Q r  | Teruggevorderde heffing  |   V R = 600V,I F =100A,  -di/dt=2100A/μs,V GE =-15V  T   j =125 o C  |   | 13.7 |   | μC  | 
| I   RM  | Piek omgekeerd  Terugwinningstroom  |   | 109 |   | Een  | 
| E rec  | Omgekeerd herstel  Energie  |   | 6.64 |   | mJ  | 
| Q r  | Teruggevorderde heffing  |   V R = 600V,I F =100A,  -di/dt=1950A/μs,V GE =-15V  T   j =150 o C  |   | 15.6 |   | μC  | 
| I   RM  | Piek omgekeerd  Terugwinningstroom  |   | 109 |   | Een  | 
| E rec  | Omgekeerd herstel  Energie  |   | 7.39 |   | mJ  | 
 
Diode -gelijkrichter    Kenmerken  T   C =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt 
 
| Symbool  | Parameter | Testomstandigheden  | Min.  | - Een type.  | Max.  | Eenheid  | 
| V F  | Diode naar voren  Spanning    | I   F =100A, T   j =150 o C  |   | 0.95 |   | V  | 
| I   R  | Terugstroom    | T   j =150 o C,V R =1600V  |   |   | 2.0 | mA  | 
IGBT -rem  Kenmerken  T   C =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt 
 
| Symbool  | Parameter | Testomstandigheden  | Min.  | - Een type.  | Max.  | Eenheid  | 
|     V CE (sat)  |     Verzamelaar naar uitgevende instelling  Voltage van de verzadiging  | I   C =50A,V GE =15V,  T   j =25 o C  |   | 1.70 | 2.15 |     V  | 
| I   C =50A,V GE =15V,  T   j =125 o C  |   | 1.95 |   | 
| I   C =50A,V GE =15V,  T   j =150 o C  |   | 2.00 |   | 
| V GE (th ) | De grenswaarde voor de poort-emitter  Spanning    | I   C =2.00 mA ,V CE   = V GE , T   j =25 o C  | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V  | 
| I   CES  | Verzamelaar  Snijden -Afgeschakeld Stroom  | V CE   = V CES ,V GE =0V,  T   j =25 o C  |   |   | 1.0 | mA  | 
| I   GES  | Doorlaat van de poort-emitter  Stroom  | V GE = V GES ,V CE   =0V, T   j =25 o C  |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | Interne poortweerstand  |   |   | 0 |   | ω  | 
| C ies  | Ingangs capaciteit  | V CE   =25V, f=1MHz,  V GE =0V  |   | 5.18 |   | nF  | 
| C res  | Omgekeerde overdracht  Vermogen  |   | 0.15 |   | nF  | 
| Q G  | Gate-lading  | V GE =-15  ...+15V  |   | 0.39 |   | μC  | 
| t   d   (aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand  |     V CC = 600V,I C =50A,    R G =15Ω,V GE =±15V,  T   j =25 o C  |   | 171 |   | n  | 
| t   r  | Opstijgtijd  |   | 32 |   | n  | 
| t   d(uit)  | Afsluiting  Vertragingstijd  |   | 340 |   | n  | 
| t   f  | Ouderdom  |   | 82 |   | n  | 
| E aan  | Aanzetten  Schakelen  Verlies  |   | 6.10 |   | mJ  | 
| E afgeschakeld  | Afschakeling  Verlies  |   | 2.88 |   | mJ  | 
| t   d   (aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand  |     V CC = 600V,I C =50A,    R G =15Ω,V GE =±15V,  T   j =125 o C  |   | 182 |   | n  | 
| t   r  | Opstijgtijd  |   | 43 |   | n  | 
| t   d(uit)  | Afsluiting  Vertragingstijd  |   | 443 |   | n  | 
| t   f  | Ouderdom  |   | 155 |   | n  | 
| E aan  | Aanzetten  Schakelen  Verlies  |   | 8.24 |   | mJ  | 
| E afgeschakeld  | Afschakeling  Verlies  |   | 4.43 |   | mJ  | 
| t   d   (aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand  |     V CC = 600V,I C =50A,    R G =15Ω,V GE =±15V,  T   j =150 o C  |   | 182 |   | n  | 
| t   r  | Opstijgtijd  |   | 43 |   | n  | 
| t   d(uit)  | Afsluiting  Vertragingstijd  |   | 464 |   | n  | 
| t   f  | Ouderdom  |   | 175 |   | n  | 
| E aan  | Aanzetten  Schakelen  Verlies  |   | 8.99 |   | mJ  | 
| E afgeschakeld  | Afschakeling  Verlies  |   | 4.94 |   | mJ  | 
|   I   SC  |   SC-gegevens  | t   P ≤ 10 μs, V GE =15V,  T   j =150 o C,V CC = 900V,  V CEM ≤ 1200V  |   |   200 |   |   Een  | 
Diode -rem  Kenmerken  T   C =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt 
 
| Symbool  | Parameter | Testomstandigheden  | Min.  | - Een type.  | Max.  | Eenheid  | 
|   V F  | Diode naar voren  Spanning    | I   F =25A,V GE =0V,T j =25 o C  |   | 1.85 | 2.30 |   V  | 
| I   F =25A,V GE =0V,T j =125 o C  |   | 1.90 |   | 
| I   F =25A,V GE =0V,T j =150 o C  |   | 1.95 |   | 
| Q r  | Teruggevorderde heffing  |   V R = 600V,I F =25A,  -di/dt=900A/μs,V GE =-15V  T   j =25 o C  |   | 2.9 |   | μC  | 
| I   RM  | Piek omgekeerd  Terugwinningstroom  |   | 55 |   | Een  | 
| E rec  | Omgekeerd herstel  Energie  |   | 0.93 |   | mJ  | 
| Q r  | Teruggevorderde heffing  |   V R = 600V,I F =25A,  -di/dt=900A/μs,V GE =-15V  T   j =125 o C  |   | 5.1 |   | μC  | 
| I   RM  | Piek omgekeerd  Terugwinningstroom  |   | 58 |   | Een  | 
| E rec  | Omgekeerd herstel  Energie  |   | 1.72 |   | mJ  | 
| Q r  | Teruggevorderde heffing  |   V R = 600V,I F =25A,  -di/dt=900A/μs,V GE =-15V  T   j =150 o C  |   | 5.6 |   | μC  | 
| I   RM  | Piek omgekeerd  Terugwinningstroom  |   | 60 |   | Een  | 
| E rec  | Omgekeerd herstel  Energie  |   | 2.01 |   | mJ  | 
 
 
 
NTC  Kenmerken  T   C =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt 
 
| Symbool  | Parameter | Testomstandigheden  | Min.  | - Een type.  | Max.  | Eenheid  | 
| R 25 | Nominale weerstand  |   |   | 5.0 |   | kΩ  | 
| ∆R/R  | Afwijking  van    R 100 | T   C =100  o C r 100= 493,3Ω  | -5 |   | 5 | % | 
| P 25 | Vermogen    Dissipatie  |   |   |   | 20.0 | mW  | 
| B 25/50  | B-waarde  | R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3375 |   | K  | 
| B 25/80  | B-waarde  | R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3411 |   | K  | 
| B 25/100  | B-waarde  | R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3433 |   | K  | 
Module  Kenmerken  T   C =25 o C  tenzij  anders  opgemerkt 
 
| Symbool  | Parameter | Min.  | - Een type.  | Max.  | Eenheid  | 
| L CE    | Inductie van de afwijking  |   | 40 |   | nH  | 
| R CC+EE   R AA + CC  ’ | Module leidingweerstand nce,Terminal naar Chip  |   | 4.00 3.00 |   | mΩ  | 
|     R thJC  | Junctie -tot -Geval  (perIGBT -inverter ) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-invert er)  Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier)  Junctie -tot -Geval  (perIGBT -rem -helikopter ) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-brake-chop per)  |   |   | 0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |     K/W  | 
|     R thCH  | Geval -tot -Verwarmingssink  (perIGBT -inverter ) Kast-naar-koelribben (per Diode-in verter)  Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier)  Geval -tot -Verwarmingssink  (perIGBT -rem -helikopter )Kast-naar-koelribben (per Dioderegel- chopper) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)  |   | 0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |   |     K/W  | 
| M  | Montage-koppel  Schroef:M5  | 3.0 |   | 6.0 | N.m  | 
| G  | Gewicht  van    Module  |   | 300 |   | g  |