GD100HHU120C6SD,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C@ T C=75o C

146

100

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

200

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T vj =150o C

771

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

100

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

200

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +125

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

1.0

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

6.50

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.42

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V GE =±15V, LS =48nH ,T vj =25o C

38

n

t r

Opstijgtijd

50

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

330

n

t f

Ouderdom

27

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

8.92

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

2.06

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V GE =±15V, LS =48nH ,T vj =125o C

37

n

t r

Opstijgtijd

50

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

362

n

t f

Ouderdom

43

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

10.7

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

3.69

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V LS =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

101

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

4.08

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V LS =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

120

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

7.47

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T vj =100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

VOEDING

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

21

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

2.60

mΩ

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Geval -naar -Wastafel (perIGBT )

De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn van toepassing op de volgende modellen:

De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Montage-koppel Schroef M6

3.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g