GD100HHU120C6SD,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C = 75 o C

146

100

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

200

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T vj =150 o C

771

W

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

100

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

200

Een

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +125

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =100A,V GE =15V, T vj =25 o C

3.00

3.45

V

I C =100A,V GE =15V, T vj =125 o C

3.80

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =4.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

1.0

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

6.50

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.42

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =±15V, LS = 48 nH ,T vj =25 o C

38

n

t r

Opstijgtijd

50

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

330

n

t f

Ouderdom

27

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

8.92

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

2.06

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =±15V, LS = 48 nH ,T vj =125 o C

37

n

t r

Opstijgtijd

50

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

362

n

t f

Ouderdom

43

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

10.7

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

3.69

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =125 o C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

650

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =100A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V

I F =100A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V LS = 48 nH ,T vj =25 o C

11.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

101

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

4.08

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V LS = 48 nH ,T vj =125 o C

19.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

120

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

7.47

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T vj =100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

21

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

2.60

mΩ

R thJC

Junctie -tot -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Geval -tot -Wastafel (perIGBT )

De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn van toepassing op de volgende modellen:

De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Montage-koppel Schroef M6

3.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g