1200V 1000A
Kort inleiding
IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 1000A.
Kenmerken
Typisch Toepassingen
Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25 o C tenzij anders opgemerkt
IGBT
Symbool |
Beschrijving |
Waarden |
Eenheid |
V CES |
Spanning van de collectieverzender |
1200 |
V |
V GES |
Spanning van de poort-emitter |
±20 |
V |
I CN |
Geïmplementeerde collector Cu rrent |
1000 |
A |
I C |
Verzamelaarsstroom @ T F = 75 o C |
765 |
A |
I CM |
Pulsed Collectorstroom t p =1 ms |
2000 |
A |
P D |
Maximale vermogensafvoer atie @ T F = 75 o C ,T j = 175 o C |
1515 |
W |
Diode
Symbool |
Beschrijving |
Waarden |
Eenheid |
V RRM |
Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd |
1200 |
V |
I FN |
Geïmplementeerde collector Cu rrent |
1000 |
A |
I F |
Diode Continuous Forward Cu rrent |
765 |
A |
I Fm |
Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms |
2000 |
A |
I FSM |
Surge Voorwaartse Stroom t p =10ms @ T j =25 o C @T j =150C |
4100 3000 |
A |
I 2t |
I 2t-waarde,t p =10ms@T j =25C @T j =150C |
84000 45000 |
A 2s |
Module
Symbool |
Beschrijving |
Waarde |
Eenheid |
T jmax |
Maximale temperatuur van de knooppunt |
175 |
o C |
T - Jaap. |
Werktemperatuur van de knooppunt |
-40 tot +150 |
o C |
T STG |
Opslagtemperatuurbereik |
-40 tot +125 |
o C |
V Iso |
Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut |
2500 |
V |
IGBT Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
V CE (sat) |
Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging |
I C =1000A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.45 |
1.90 |
V |
I C =1000A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
1.65 |
|
|||
I C =1000A,V GE =15V, T j = 175 o C |
|
1.80 |
|
|||
V GE (th ) |
De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning |
I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
I CES |
Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
I GES |
Doorlaat van de poort-emitter Stroom |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interne poortweerstand aas |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Ingangs capaciteit |
V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V |
|
51.5 |
|
nF |
C res |
Omgekeerde overdracht Vermogen |
|
0.36 |
|
nF |
|
Q G |
Gate-lading |
V GE =-15…+15V |
|
13.6 |
|
μC |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T j =25 o C |
|
330 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
140 |
|
n |
|
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
842 |
|
n |
|
t f |
Ouderdom |
|
84 |
|
n |
|
E aan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
144 |
|
mJ |
|
E afgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
87.8 |
|
mJ |
|
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T j =125 o C |
|
373 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
155 |
|
n |
|
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
915 |
|
n |
|
t f |
Ouderdom |
|
135 |
|
n |
|
E aan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
186 |
|
mJ |
|
E afgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
104 |
|
mJ |
|
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T j = 175 o C |
|
390 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
172 |
|
n |
|
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
950 |
|
n |
|
t f |
Ouderdom |
|
162 |
|
n |
|
E aan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
209 |
|
mJ |
|
E afgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
114 |
|
mJ |
|
I SC |
SC-gegevens |
t P ≤8μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3200 |
|
A |
t P ≤ 6 μs, V GE =15V, T j = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3000 |
|
A |
Diode Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
V F |
Diode naar voren Spanning |
I F =1000A,V GE =0V,T j = 25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
I F =1000A,V GE =0V,T j =125 o C |
|
1.70 |
|
|||
I F =1000A,V GE =0V,T j = 175 o C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =900A, -di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T j =25 o C |
|
91.0 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd Terugwinningstroom |
|
441 |
|
A |
|
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
26.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =900A, -di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T j =125 o C |
|
141 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd Terugwinningstroom |
|
493 |
|
A |
|
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
42.5 |
|
mJ |
|
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =900A, -di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T j = 175 o C |
|
174 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd Terugwinningstroom |
|
536 |
|
A |
|
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
52.4 |
|
mJ |
NTC Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
R 25 |
Nominale weerstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Afwijking van R 100 |
T C =100 o C r 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Vermogen Dissipatie |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Module Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
L CE |
Inductie van de afwijking |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Module loodweerstand, terminal tot chip |
|
0.80 |
|
mΩ |
R de JF |
Junctie -om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junction-naar-koelvloeistof (per Di (de) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C |
|
|
0.066 0.092 |
K/W |
M |
Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.m |
G |
Gewicht van Module |
|
400 |
|
g |
Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.