iGBT-module
De IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) vormt een baanbrekende vooruitgang in vermogenselektronica, waarbij de beste eigenschappen van MOSFET- en bipolaire transistor-technologieën worden gecombineerd. Deze geavanceerde halfgeleidercomponent fungeert als een essentieel onderdeel in moderne vermogenregeltoepassingen en biedt uitzonderlijke schakelmogelijkheden en efficiënt vermogensbeheer. De module bestaat uit meerdere IGBT-chips die in verschillende configuraties zijn geplaatst, aangevuld met antiparallelle diodes en een speciaal ontworpen verpakking voor optimale thermische beheersing. De module werkt op frequenties variërend van 1 kHz tot 100 kHz en kan spanningen verwerken van 600V tot 6500V en stromen tot enkele duizenden ampère. Deze modules presteren uitstekend in toepassingen die een hoge spannings- en stroomcapaciteit vereisen, waardoor ze onmisbaar zijn in industriële motoraandrijvingen, systemen voor hernieuwbare energie en aandrijflijnen van elektrische voertuigen. De integratie van geavanceerde gatebesturingscircuits zorgt voor nauwkeurige schakelcontrole, terwijl ingebouwde beveiligingsfuncties beschermen tegen overbelasting, kortsluiting en oververhitting. Moderne IGBT-modules bevatten ook geavanceerde thermische beheersoplossingen, waaronder direct koper-gebondeerde (DCB) substraatmateriaal en geavanceerde koelsystemen, die betrouwbare werking mogelijk maken onder zware omstandigheden.
EN
